找到“INA2143UA”相关的规格书共5,925个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| PDTC143TU,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:1个NPN-预偏置;功率(Pd):200mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极截止电流(Icbo):1uA;集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):100mV@5mA,250uA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1mA,5V; | 获取价格 | ||
| GT22L16K1Y40-D | Shanghai Gaotong Semiconductor Co., Ltd | 字符集:BIG5/GB2312/JIS0208/KSC5601/UNICODE;点阵大小:5x7~16;时钟频率:108MHz;工作电压:2.7V~3.6V;工作电流:12mA;待机电流:2uA~13uA;工作温度:-40℃~+85℃; | 获取价格 | ||
| 74LVC2G14GW,125 | Rubycon Corporation | Schmitt Trigger 1.65V~5.5V 4.3ns@5V,50pF 2 74LVC 4uA 32mA 32mA SC-70-6(SOT-363) Inverters ROHS | 获取价格 | ||
| HSL0004 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):3A;功率(Pd):1.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):112mΩ@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| HSL6008 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):2.8A;功率(Pd):1.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@10V,2.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| NCEP85T25D | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):85V;连续漏极电流(Id):250A;功率(Pd):300W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.6mΩ@10V,100A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| IPN70R1K4P7S | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):700V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):6.2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.4Ω@10V,700mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@40uA; | 获取价格 | ||
| IPN70R900P7S | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):700V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):6.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):900mΩ@10V,1.1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@60uA; | 获取价格 | ||
| AOB254L-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):45A;功率(Pd):3.7W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V,15A;阈值电压(Vgs(th)@Id):6V@250uA; | 获取价格 | ||
| AOD536 | ElecSuper | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):46A;功率(Pd):37.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,20.0A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| DSS34 | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):550mV@3A;反向电流(Ir):500uA@40V; | 获取价格 | ||
| HB3510P | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):83W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):38mΩ@10V,15A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| VBL1105 | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):110A;功率(Pd):375W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| VBL1405 | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):150W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5mΩ@10V,100A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| LSE70R380GT | Lonten Semiconductor Co.,Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):700V;连续漏极电流(Id):11A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):380mΩ@10V,5.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| AD2N60S | Anbon Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):34W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.4Ω@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| HD60N75 | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):75V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):3.75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):16mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| 18N20-252 | Goford Semiconductor Co.,Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):18A;功率(Pd):65.8W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):160mΩ@10V,9A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| CS2N60A4H | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):35W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4Ω@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| JCS640RH-O-R-N-A | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):18A;功率(Pd):140W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):150mΩ@10V,9A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 |
