找到“IR21091SPbF”相关的规格书共8,091个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| FAS103-M | Anbon Semiconductor Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.3V@1A;反向电流(Ir):5uA@200V;反向恢复时间(trr):150ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| E1J | Luguang Electronics Technology Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.7V@1A;反向电流(Ir):5uA@600V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SM712.TCT | KUU SEMICONDUCTOR | Peak Pulse Current ( tp =8/20μs ) (note1) IPP 17A，反向截断电压VRWM 7V+12V 反向漏泄电流IR=1μA，VC12V 17A=26V VC7V 17A=12V 结电容75PF SOT-23 | 获取价格 | ||
| FR156 | GOOD-ARK | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):1.5A;正向压降(Vf):1.3V@1.5A;反向电流(Ir):5uA@600V;反向恢复时间(trr):500ns;工作温度:-55℃~+125℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MUR3060WTG | ON Semiconductor | 二极管配置：1对共阴极 直流反向耐压(Vr)：600V 平均整流电流(Io)：15A 正向压降(Vf)：1.7V@15A 反向电流(Ir)：10uA@400V 反向恢复时间(trr)：60ns 工作温度：-65℃~+175℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| PMBD7000,235 | Nexperia | 二极管配置：1对串联式 功率：250mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：215mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：500nA@100V 反向恢复时间(trr)：4ns 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| PMBD7000,215 | Nexperia | 二极管配置：1对串联式 功率：250mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：215mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：500nA@100V 反向恢复时间(trr)：4ns 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| PMBD914,215 | Nexperia | 二极管配置：独立式 功率：250mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：215mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：1uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| L1N4148FT1G | Leshan Radio Co., Ltd. | 二极管配置：独立式 功率：400mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：1uA@75V 反向恢复时间(trr)：8ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| 1N4148W | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 二极管配置：独立式 功率：400mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.25V@100mA 反向电流(Ir)：1uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| 1N4148WS | SHENZHEN GOODWORK ELECTRONIC CO.,LTD | 二极管配置：独立式 功率：400mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：1uA@100V 反向恢复时间(trr)：8ns | 获取价格 | ||
| 1SS355 | CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：80V 平均整流电流(Io)：100mA 正向压降(Vf)：1.2V@100mA 反向电流(Ir)：100nA@80V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| ES1JLF | Jingdao | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：600V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.7V@1A 反向电流(Ir)：5μA@600V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| ES3BC | Jingdao | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：1V@3A 反向电流(Ir)：5μA@100V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| US1KF | Jingdao | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：800V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.65V@1A 反向电流(Ir)：5μA@800V 反向恢复时间(trr)：75ns 工作温度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj) 800V,1A,VF=1.65V@1A | 获取价格 | ||
| ES5AC | Jingdao | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：50V 平均整流电流(Io)：5A 正向压降(Vf)：1V@5A 反向电流(Ir)：5μA@50V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| ES2JF | SHENZHEN GOODWORK ELECTRONIC CO.,LTD | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：600V 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：1.7V 2A 反向电流(Ir)：5μA 600V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度(最小值)：-65℃ (Tj) 工作温度(最大值)：+150℃ (Tj) | 获取价格 | ||
| ES1002FL_R1_00001 | PANJIT SEMI CONDUCTOR | 二极管配置：独立式 正向压降(Vf)：950mV 1A 直流反向耐压(Vr)：200V 工作温度(最大值)：+150℃ (Tj) 平均整流电流(Io)：1A 反向电流(Ir)：500nA 200V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度(最小值)：-55℃ (Tj) | 获取价格 | ||
| 1N4148WT | BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. | 二极管配置：独立式 功率：500mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.25V@100mA 反向电流(Ir)：5uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| SMCJ70A | Brightking | 极性：单向 反向截止电压(Vrwm)：70V 击穿电压(最小值)：77.8V 击穿电压(最大值)：86V 反向漏电流(Ir)：1μA 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs：13.3A 最大钳位电压：113V 峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs：1.5kW VRWM=70V 单向 | 获取价格 |
