找到“IR21091SPbF”相关的规格书共8,091个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
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| MMBD914LT3G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 功率：300mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：200mA 正向压降(Vf)：1V@10mA 反向电流(Ir)：5uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| MMBD914LT1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 功率：300mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：200mA 正向压降(Vf)：1V@10mA 反向电流(Ir)：5uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| SMF10A | JSMICRO SEMICONDUCTOR | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):10V;击穿电压(最小值):11.1V;击穿电压(最大值):12.3V;反向漏电流(Ir):2.5uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:11.8A;最大钳位电压:17V; | 获取价格 | ||
| FHA80F40A | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):40A;正向压降(Vf):1V@40A;反向电流(Ir):50uA@400V;反向恢复时间(trr):50ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FR157 | DIYI ELECTRONIC | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):1.5A;正向压降(Vf):1.3V@1.5A;反向电流(Ir):5uA@1kV;反向恢复时间(trr):500ns;工作温度:-65℃~+125℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ES5ACG | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):50V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):1V@5A;反向电流(Ir):5uA@50V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| F2GF | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):1.3V@2A;反向电流(Ir):5uA@400V;反向恢复时间(trr):150ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ES1JB | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.7V@1A;反向电流(Ir):5uA@600V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ES1DB | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):950mV@1A;反向电流(Ir):5uA@200V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FR257 | YFSEMI | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):2.5A;正向压降(Vf):1.3V@2.5A;反向电流(Ir):5uA@1kV;反向恢复时间(trr):500ns;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HDF560N | HL | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):700V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):2.1V@5A;反向电流(Ir):5uA@700V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-50℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BAV 70 E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:1对共阴极;功率:250mW;直流反向耐压(Vr):80V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向电流(Ir):150nA@70V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| IDP30E65D1 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;功率:143W;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):60A;正向压降(Vf):1.7V@30A;反向电流(Ir):40uA@650V;反向恢复时间(trr):95ns;工作温度:-40℃~+175℃@(Tvj); | 获取价格 | ||
| BBY 53-02V H6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;最大反向耐压(Vr):6V;反向电流(Ir):10nA@4V;二极管电容(CT):2.4pF@3V,1MHz;电容比:2.2@C1V/C3V;串联电阻(Rs):470mΩ;工作温度:-55℃~+125℃@(Ta); | 获取价格 | ||
| BAS 28W H6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:2个独立式;功率:250mW;直流反向耐压(Vr):80V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向电流(Ir):100nA@75V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BAV 99S H6433 | Infineon Technologies | 二极管配置:2对串联式;功率:250mW;直流反向耐压(Vr):80V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向电流(Ir):150nA@70V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BAS521,135 | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;功率:500mW;直流反向耐压(Vr):300V;平均整流电流(Io):250mA;正向压降(Vf):1V@100mA;反向电流(Ir):30nA@250V;反向恢复时间(trr):16ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BAV70QAZ | Rubycon Corporation | 二极管配置:1对共阴极;功率:540mW;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):300mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向电流(Ir):500nA@80V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BAS21VD,135 | Rubycon Corporation | 二极管配置:3个独立式;功率:295mW;直流反向耐压(Vr):250V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1.25V@200mA;反向电流(Ir):100nA@200V;反向恢复时间(trr):50ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| DM6W20A-13 | Diodes Incorporated | 极性:-;反向截止电压(Vrwm):20V;击穿电压(最小值):22.2V;击穿电压(最大值):24.5V;反向漏电流(Ir):10uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:142A;最大钳位电压:32.4V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:4.6kW; | 获取价格 |
