| 1 | 2SK4033-VB | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):18.2A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):73mΩ@10V,18.2... | 下载 | VBsemi Electronics Co. Ltd |
| 2 | 2SA1020 | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):900mW; | 下载 | Rubycon Corporation |
| 3 | 2N3906TFR | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 4 | 2N4401BU | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 5 | 2SB1188 | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):32V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电... | 下载 | Rubycon Corporation |
| 6 | 2SK1273-VB | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):6.7A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):88mΩ@10V,6.7A;... | 下载 | VBsemi Electronics Co. Ltd |
| 7 | 2SJ355-VB | MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT89 | 下载 | VBsemi Electronics Co. Ltd |
| 8 | 2SB1386-R | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):500nA;集电极-发射极饱和电... | 下载 | GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD |
| 9 | 2SD1005 | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱... | 下载 | Rubycon Corporation |
| 10 | 2SB1132 | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):32V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):500nA;集电极-发射极饱... | 下载 | Rubycon Corporation |
| 11 | 2SC2883 | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射... | 下载 | Rubycon Corporation |
| 12 | 2N7002T-HAF | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):115mA;功率(Pd):150mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,50... | 下载 | Rubycon Corporation |
| 13 | 2SK3019 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):100mA;功率(Pd):150mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8Ω@4V,10m... | 下载 | T&C Technology |
| 14 | 2.54-2×6P L34-H2.5-PA6 PC3 | 排针 2×6Pin P=2.54mm 塑高=2.5mm 直插 双塑 | 下载 | SZJUSTWELL ELECTRONICS CO.,LTD |
| 15 | 2SA950-TA | | 下载 | Rubycon Corporation |
| 16 | 2SC1318-TA | | 下载 | Rubycon Corporation |
| 17 | 2SA1015-TA | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):150mA;功率(Pd):400mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发... | 下载 | Rubycon Corporation |
| 18 | 2N3906TA | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):625mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 19 | 2SA1015 | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):150mA;功率(Pd):400mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发... | 下载 | Rubycon Corporation |
| 20 | 2SD667 | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):900mW;集电极截止电流(Icbo):10uA;集电极-发射极饱和... | 下载 | Rubycon Corporation |
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