1 | KA431SMFTF | 输出类型:可调;输入电压:-;输出电压:2.5V~36V;输出电流:100mA;精度:±2%; | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
2 | KSD1691YSTU | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):1.3W;集电极截止电流(Icbo):10uA;集电极-发射极饱和电... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
3 | KND2803A | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):150A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3mΩ@10V,40A;... | 下载 | KIA |
4 | KP522208BLGA | | 下载 | Kiwi Instruments Corporation |
5 | KTC4375-Y-RTF--P | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射... | 下载 | KEC CORPORATION |
6 | KTA1663-Y-RTF--P | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱... | 下载 | KEC CORPORATION |
7 | KTA1666 | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱... | 下载 | Rubycon Corporation |
8 | KTA1666-Y | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱... | 下载 | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. |
9 | KTA1663 | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射... | 下载 | Rubycon Corporation |
10 | KY1012 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):500mA;功率(Pd):150mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):410mΩ@4.5... | 下载 | Shenzhen Hanjingyuan Electronics Co., Ltd |
11 | KCXJ1902G820MF | 直插铝电解电容 插件,D18xL19mm 82µF ±20% 400V | 下载 | Ymin |
12 | KTC3198-TA | | 下载 | Rubycon Corporation |
13 | KSP2907ATA | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):625mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@15... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
14 | KSC1815YTA | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):150mA;功率(Pd):400mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
15 | KP12100E | 输入电压类型:DC;输出通道数:1;正向电压:1.2V;反向电压:6V;输出电流:50mA;接收端电压:350V;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):4... | 下载 | Cosmo Electronics Corporation |
16 | KL817-B | 晶体管光耦(DC),电流传输比130~260%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率20... | 下载 | Kinglight |
17 | KL817M-A | 晶体管光耦(DC),电流传输比80~160%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率200... | 下载 | Kinglight |
18 | KL817M-D | 晶体管光耦(DC),电流传输比300~600%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率20... | 下载 | Kinglight |
19 | KL817-C | 晶体管光耦(DC),电流传输比200~400%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率20... | 下载 | Kinglight |
20 | KL817M-D-F | 晶体管光耦(DC),电流传输比300~600%,正向电压1.2V,反向电流10uA,Min击穿电压80V,Max暗电流100nA,隔离电压5000V,总消耗功率20... | 下载 | Kinglight |