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| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| 20N06 | Goford Semiconductor Co.,Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):25A;功率(Pd):41W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ; | 获取价格 | ||
| FDD770N15A | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):18A;功率(Pd):56.8W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):77mΩ@10V,12A; | 获取价格 | ||
| FQD6N40CTM | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):400V;连续漏极电流(Id):4.5A;功率(Pd):2.5W；48W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1Ω@10V,2.25A; | 获取价格 | ||
| RFD14N05LSM9A | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):50V;连续漏极电流(Id):14A;功率(Pd):48W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@5V,14A; | 获取价格 | ||
| CMD5951 | Guangdong Field Effect Semiconductor Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):30A;功率(Pd):120W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):65mΩ; | 获取价格 | ||
| HSS06P03 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):1.25W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):23mΩ@10V,4.2A; | 获取价格 | ||
| PJ-025 | CUI Devices Inc. | Power Barrel Connector Jack 1.40mm ID (0.055"), 4.30mm ID (0.169"), 6.50mm OD (0.256") EIAJ-5 Through Hole, Right Angle | 获取价格 | ||
| FDC6321C | ON Semiconductor | 双N&P通道，数字FET N-channel：VDS=25V ID=0.68A P-channel：VDS=25V ID=0.46A TSOT23-6 | 获取价格 | ||
| AO4620 | Alpha & Omega Semiconductor（AOS） | 互补增强模场效应晶体管 VDS=30V ID(N-Channel)=7.2A ID(P-Channel)=5.3A PD=2W SOIC8_150MIL | 获取价格 | ||
| DMC4047LSD-13 | Diodes Incorporated | 互补对增强型MOSFET SOIC8 N沟道：VDS=40V ID=7A VGS=±20V P沟道：VDC=40V ID=5.1A VGS=±20V | 获取价格 | ||
| SL3402 | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | MOSFETs N沟道 Vdss：20V Id：4A Pd：1.5W RDS(on)：50mΩ@10V,4A Vgs(th)@Id：1.5V@250uA SOT23-3 | 获取价格 | ||
| WSD14N10DN | Winsok power Semiconductor CO., LTD | N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：14A 功率(Pd)：17W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：110mΩ@10V | 获取价格 | ||
| UTT10NP06G-S08-R | Unisonic Technology Co., Ltd. | MOS管 N沟道+P沟道 VDS1=60V ID1=4.5A VDS2=-60V ID2=-3A VGS=±20V P=2W 2通路 SOP8 | 获取价格 | ||
| TMC1320-LA | Trinamic Motion Control GmbH | N沟道+P沟道 VDS1=30V ID1=7.3A VDS2=-30V ID2=-5.3A VGS=±20V P=2.5W 2通路 | 获取价格 | ||
| FIR7N60FG | Shenzhen First Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):7A;功率(Pd):45W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.4Ω@10V,3.5A; | 获取价格 | ||
| 3401S/C | FM | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):2.6A;功率(Pd):1.2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):98mΩ@10V,2.6A; | 获取价格 | ||
| AO4816-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):7.2A;功率(Pd):2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):16mΩ@10V,8A; | 获取价格 | ||
| AM2305PE-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):5.4A;功率(Pd):1.25W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):55mΩ@10V,4.4A; | 获取价格 | ||
| AM2321P-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):4.5A;功率(Pd):1.25W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V,5.1A; | 获取价格 | ||
| APM2309AC-TRG | Sinopower Semiconductor, Inc | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):2.2A;功率(Pd):830mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):130mΩ@10V,2.2A; | 获取价格 |
