找到“TL287ID”相关的规格书共13,883个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| HY1607B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):68V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):115W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.8mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| VBJ2658 | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):7A;功率(Pd):10.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):65mΩ@4.5V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| 1N65G-AA3-R | Unisonic Technology Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):1.2A;功率(Pd):8W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12.5Ω@10V,600mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| LSE80R680GT | Lonten Semiconductor Co.,Ltd | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| IPB090N06N3 G | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):71W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@34uA; | 获取价格 | ||
| SE80130G | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):130A;功率(Pd):160W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.3mΩ@10V,60A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| VBL1101M | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| VBL1203M | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:-;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):74W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):300mΩ@10V,5.4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| VBL1310 | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):120W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| LSE65R380GF | Lonten Semiconductor Co.,Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):11A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):380mΩ@10V,5.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| PTY80N06 | ShenZhen Puolop Electronics co.,LTD. | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| VIS30023 | WUXI WODAKE SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):183A;功率(Pd):140W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250mA; | 获取价格 | ||
| IPB100N04S4-H2 | Infineon Technologies | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| HY1904D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):72A;功率(Pd):62.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,36A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| ME60N03 | MATSUKI | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):48.5A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| AP9990GH-HF | APEC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA; | 获取价格 | ||
| HD830 | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):550V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):3.13W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.5Ω@10V,2.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| HSS2300A | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):26mΩ@4.5V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA; | 获取价格 | ||
| PMV280ENEA | Rubycon Corporation | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| CPH3351-TL-W | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):1.8A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):250mΩ@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.6V@1mA; | 获取价格 |
