找到“UGN3140UA”相关的规格书共5,828个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| UF1004-T | Diodes Incorporated | 直流反向耐压(Vr)：400V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.3V@1A 反向电流(Ir)：5uA@400V 反向恢复时间(trr)：50ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| UF4007GP-TP | Micro Commercial Components | 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.7V@1A 反向电流(Ir)：5uA@1kV 反向恢复时间(trr)：75ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| US1B-13-F | Diodes Incorporated | 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1V@1A 反向电流(Ir)：5uA@100V 反向恢复时间(trr)：50ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| 1N5408G | Leshan Radio Co., Ltd. | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：1.1V@3A 反向电流(Ir)：10uA@1kV | 获取价格 | ||
| AO3480C | Alpha & Omega Semiconductor（AOS） | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6.2A 功率(Pd)：1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：16mΩ@10V,6.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.8V@250uA | 获取价格 | ||
| LESD3Z5.0C | MDD辰达半导体 | Bi PD=100W VRWM=5V VBR=5.6V VC=16V IPP=8A IR=1uA CJ=10PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 | 获取价格 | ||
| ESD5Z24 | MDD辰达半导体 | Uni PD=120W VRWM=24V VBR=26.7V VC=35V IPP=1A IR=5uA CJ=50PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 | 获取价格 | ||
| BZT52C43 | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：43V 稳压值(范围)：40V~46V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：2uA@33V 阻抗(Zzt)：130Ω | 获取价格 | ||
| 1N4148W | YONGYUTAI | 功率：500mW 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.25V@100mA 反向电流(Ir)：5uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| GBLC15C | MDD辰达半导体 | Bi PD=300W VRWM=15V VBR=16.7V VC=31.8V IPP=5A IR=1uA CJ=0.8PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 | 获取价格 | ||
| ATK-LORA-01 | Guangzhou Xingyi Electronic Technology Co., Ltd | 远距离无线串口通信模块产品，工作电压∶DC3.3~DC5V ，工作电流∶2.3uA~118mA ，串口速率∶1200~115200bps， 工作温度∶-30℃~85℃，发射功率;11~20d8m | 获取价格 | ||
| ESD3B5CM | MDD辰达半导体 | Bi PD=400W VRWM=5V VBR=5.8V VC=20V IPP=25A IR=1uA CJ=30PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 | 获取价格 | ||
| SM05OC | MDD辰达半导体 | Bi PD=130W VRWM=5V VBR=5.6V VC=16V IPP=8A IR=1uA CJ=15PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 | 获取价格 | ||
| ESD0502T5L | MDD辰达半导体 | Bi PD=60W VRWM=5V VBR=6V VC=15V IPP=4A IR=0.1uA CJ=0.5PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 | 获取价格 | ||
| LP9435LT1G | Leshan Radio Co., Ltd. | 30V 5.3A 50mΩ@10V,5.3A 1.4W 3V@250uA 51pF@15V P Channel 644pF@15V 10nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23 | 获取价格 | ||
| 1N5819WS | JSMICRO SEMICONDUCTOR | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：40V 平均整流电流(Io)：350mA 正向压降(Vf)：600mV@200mA 反向电流(Ir)：5uA@30V | 获取价格 | ||
| US1M | SHENZHEN GOODWORK ELECTRONIC CO.,LTD | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.7V@1A 反向电流(Ir)：5uA@1kV 反向恢复时间(trr)：75ns | 获取价格 | ||
| SL3400 | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：41mΩ@10V,5.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.4V@250uA | 获取价格 | ||
| SL3401S | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：60mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.3V@250uA | 获取价格 | ||
| 1N4002W | Jingdao | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.1V@1A 反向电流(Ir)：5uA@100V 100V,1A,VF=1.1V@1A | 获取价格 |
