找到“UGN3140UA”相关的规格书共5,828个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| CS13N50FA9H | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):13A;功率(Pd):60W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):450mΩ@10V,6.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| CS20N60FA9H | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):85W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):450mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| ASD2065P2 | Anbon Semiconductor Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):40A;正向压降(Vf):1.45V@10A;反向电流(Ir):10uA@650V; | 获取价格 | ||
| GBU810 | Anbon Semiconductor Co., Ltd. | 直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):8A;正向压降(Vf):1.1V@4A;反向电流(Ir):10uA@1kV;正向浪涌电流(Ifsm):200A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| APM4826KC-TRG | Anpec Electronics Corp | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):12A;功率(Pd):2.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,12A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| GBU2008A | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 直流反向耐压(Vr):800V;平均整流电流(Io):3.5A;正向压降(Vf):1V@10A;反向电流(Ir):5uA@800V;正向浪涌电流(Ifsm):300A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 1N5397-D1-0001 | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):1.5A;正向压降(Vf):1.1V@1.5A;反向电流(Ir):2.5uA@600V; | 获取价格 | ||
| D10JA100 | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):3.2A;正向压降(Vf):1V@5A;反向电流(Ir):5uA@1kV;正向浪涌电流(Ifsm):175A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| D3UB60A | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):1V@1.5A;反向电流(Ir):5uA@600V;正向浪涌电流(Ifsm):100A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HBR10150U-220 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):150V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):830mV@10A;反向电流(Ir):10uA@150V; | 获取价格 | ||
| HBR20200S-220HF | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):10A;正向压降(Vf):860mV@10A;反向电流(Ir):10uA@200V; | 获取价格 | ||
| HBR2045S-220HF | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):45V;平均整流电流(Io):10A;正向压降(Vf):620mV@10A;反向电流(Ir):20uA@45V; | 获取价格 | ||
| HBR30100V-220 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):15A;正向压降(Vf):710mV@15A;反向电流(Ir):50uA@100V; | 获取价格 | ||
| HBR20100V-220HF | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):10A;正向压降(Vf):730mV@15A;反向电流(Ir):50uA@100V; | 获取价格 | ||
| HA9N90 | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):900V;连续漏极电流(Id):9A;功率(Pd):280W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.4Ω@10V,4.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| HA25N50 | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):25A;功率(Pd):183W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):300mΩ@10V,12.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| BSC042NE7NS3G | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):75V;连续漏极电流(Id):19A;功率(Pd):2.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.2mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.8V@91uA; | 获取价格 | ||
| AIDW16S65C5 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):16A;正向压降(Vf):1.5V@16A;反向电流(Ir):3uA@650V; | 获取价格 | ||
| IAUC120N04S6L012 | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):115W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.21mΩ@10V,60A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@60uA; | 获取价格 | ||
| AIDW20S65C5 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):20A;正向压降(Vf):1.5V@20A;反向电流(Ir):3uA@650V; | 获取价格 |
