找到“UGN3140UA”相关的规格书共5,828个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| P6KE33A/B | Brightking | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):28.2V;击穿电压:31.4V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:13.3A;最大钳位电压:45.7V; | 获取价格 | ||
| P6KE68A/B | Brightking | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):58.1V;击穿电压:64.6V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:6.6A;最大钳位电压:92V; | 获取价格 | ||
| P6KE75CA | Createk Microelectronics | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):64.1V;击穿电压:71.3V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:5.8A;最大钳位电压:103V; | 获取价格 | ||
| SAC50/B | Brightking | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):50V;击穿电压:55.5V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:5.8A;最大钳位电压:88V; | 获取价格 | ||
| P6KE22CA | SEMBO ELECTRONICS | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):18.8V;击穿电压:20.9V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:20A;最大钳位电压:30.6V; | 获取价格 | ||
| TD8002ES5 | SHENZHEN JINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD. | Character:1MHz,2A Synchronous Efficiency:96% Operating Voltage:2.5V-6.5V Iq:80uA Output Voltage:0.6V-0.9Vin Vfb:0.6V Package:SOT23-5L | 获取价格 | ||
| LP5907MFX-3.3/NOPB(MS) | Mason semiconductor | 超低功耗2ua，带EN使能脚，电流最大300ma，广泛用于各类便携式手持设备，平板电脑，智能穿戴，电子测量仪器，医疗电子等 | 获取价格 | ||
| LP5907MFX-1.5/NOPB(MS) | Mason semiconductor | 超低功耗2ua，带EN使能脚，电流最大300ma，广泛用于各类便携式手持设备，平板电脑，智能穿戴，电子测量仪器，医疗电子等 | 获取价格 | ||
| AP3400S | Shenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):5.8A;功率(Pd):1.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):32mΩ@10V,5.8A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.4V@250uA; | 获取价格 | ||
| HFS10N65U | SemiHow Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):9.5A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):980mΩ@10V,4.75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| CI06S65C3 | Guangzhou Tokmas Electronics Co., LTD | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):19A;正向压降(Vf):1.5V@6A;反向电流(Ir):8uA@650V; | 获取价格 | ||
| B1D20120H | Shenzhen BASiC Semiconductor LTD., | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1.2kV;平均整流电流(Io):70A;正向压降(Vf):1.46V@20A;反向电流(Ir):6.75uA@1.2kV; | 获取价格 | ||
| HY0C20C | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:双N沟道(共漏);漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):12A;功率(Pd):1.56W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11mΩ@4.5V,8A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| HY4903B6 | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):314A;功率(Pd):268W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.7mΩ@10V,150A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| HY029N10B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):270A;功率(Pd):394.7W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.3mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| HY3704P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):176A;功率(Pd):192W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.6mΩ@10V,88A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| HY4903P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):290A;功率(Pd):214W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2mΩ@10V,145A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| FHU2N60A | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):35W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.5Ω@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| FHP15N60A | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):15A;功率(Pd):180W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):550mΩ@10V,7.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| FHP75N100A | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):75A;功率(Pd):195W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 |
