找到“UGN3140UA”相关的规格书共5,828个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| SMBJ13CA | ElecSuper | 最大耗散功率（W） 600 最大抵消电压（V） 13 最大反向电流（uA） 1 崩溃电压Min（V） 14.4 崩溃电压Max（V） 15.9 测试电流（mA） 1 最大脉冲电流（A） 28 最大嵌位电压（V） 21.5 | 获取价格 | ||
| SMBJ6.0A | ElecSuper | 最大耗散功率（W） 600 最大抵消电压（V） 6 最大反向电流（uA） 800 崩溃电压Min（V） 6.67 崩溃电压Max（V） 7.37 测试电流（mA） 10 最大脉冲电流（A） 58.3 最大嵌位电压（V） 10.3 | 获取价格 | ||
| SMDJ33CA | Rubycon Corporation | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):33V;击穿电压:36.7V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:56.29A;最大钳位电压:53.3V; | 获取价格 | ||
| SMCJ26CA | ElecSuper | 最大耗散功率（W） 1500 最大抵消电压（V） 26 最大反向电流（uA） 1 崩溃电压Min（V） 28.9 崩溃电压Max（V） 31.9 测试电流（mA） 1 最大脉冲电流（A） 35.7 最大嵌位电压（V） 42.1 | 获取价格 | ||
| SMCJ33CA | ElecSuper | 最大耗散功率（W） 1500 最大抵消电压（V） 33 最大反向电流（uA） 1 崩溃电压Min（V） 36.7 崩溃电压Max（V） 40.6 测试电流（mA） 1 最大脉冲电流（A） 28.2 最大嵌位电压（V） 53.3 | 获取价格 | ||
| DTA144EKA | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | 晶体管类型:1个PNP-预偏置;功率(Pd):200mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极截止电流(Icbo):-;集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo):3V@2mA,300mV;最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc):500mV@100uA,5V;输出电压(VO(on)@Io/Ii):100mV@10mA,500uA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):-;输入电阻:47 | 获取价格 | ||
| FDPC8014AS | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):25V;连续漏极电流(Id):159A;功率(Pd):37W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.9mΩ@10V,20A；0.75mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA；3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):11nC@4.5V；44nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):1.695nF@13V；6.985nF@13V;反向传输电容(Crss@Vds):54pF@13V；172pF@13V;工作温度:-55℃ | 获取价格 | ||
| PMDT290UCE,115 | Nexperia | 类型：1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA；550mA 功率(Pd)：330mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：290mΩ@4.5V,500mA；670mΩ@4.5V,400mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：750mV@250uA；800mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：450pC@4.5V；760pC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：55pF@10V；58pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：7pF@10V； | 获取价格 | ||
| AIGW50N65H5 | Infineon Technologies | IGBT类型:-;功率(Pd):270W;集射极击穿电压(Vces):650V;集电极电流(Ic):83A;集电极脉冲电流(Icm):150A;集电极截止电流(Ices@Vce):40uA@650V;集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge):1.66V@50A,15V;栅极阈值电压(Vge(th)@Ic):4V@500uA;栅极电荷(Qg@Ic,Vge):116nC@50A,15V;输入电容(Cies@Vce):2.8nF@25V;开启延迟时间(Td(on)):21ns;关断延迟时间(Td(off | 获取价格 | ||
| DTA114EL-T92-K | Unisonic Technology Co., Ltd. | 晶体管类型:1个PNP-预偏置;功率(Pd):625mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极截止电流(Icbo):-;集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo):3V@10mA,300mV;最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc):500mV@100uA,5V;输出电压(VO(on)@Io/Ii):300mV@10mA,500uA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@5mA,5 | 获取价格 | ||
| IRLR8726T | Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):54W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;输入电容(Ciss@Vds):1.16nF; | 获取价格 | ||
| ESD4186 | ElecSuper | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：35A 功率(Pd)：50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：13mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA N沟道,40V,35A,13mΩ@10V | 获取价格 | ||
| AOD478-HXY | Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):55W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):70mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;输入电容(Ciss@Vds):1.53nF@25V; | 获取价格 | ||
| AOD403-HXY | Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):70A;功率(Pd):90W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.2mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;输入电容(Ciss@Vds):3.45nF@25V; | 获取价格 | ||
| 2SD2150R | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1.2W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@2A,0.2A;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):180@1A,2V;特征频率(fT):90MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SD1624S-TD-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):190mV@2A,100mA;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PDTC114TT,215 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:1个NPN-预偏置;功率(Pd):250mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极截止电流(Icbo):1uA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1mA,5V; | 获取价格 | ||
| PDTC115TT,215 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:1个NPN-预偏置;功率(Pd):250mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极截止电流(Icbo):1uA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@1mA,5V; | 获取价格 | ||
| RS1GL | SMC Diode Solutions | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.3V@1A;反向电流(Ir):5uA@400V;反向恢复时间(trr):150ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| U1G | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.25V@1A;反向电流(Ir):5uA@400V;反向恢复时间(trr):25ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 |
