找到“UGS3130UA”相关的规格书共5,914个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| BZX84C3V6-7-F | Diodes Incorporated | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：3.6V 稳压值(范围)：3.4V~3.8V 功率：350mW 反向电流(Ir)：5uA@1V 阻抗(Zzt)：90Ω | 获取价格 | ||
| 1N4741A | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：11V 稳压值(范围)：10.45V~11.55V 精度：±5% 功率：1W 反向电流(Ir)：5uA@8.4V 阻抗(Zzt)：8Ω | 获取价格 | ||
| MMSZ4684T1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：3.3V 稳压值(范围)：3.13V~3.47V 功率：500mW 反向电流(Ir)：7.5uA@1.5V | 获取价格 | ||
| MBRD10100CT-13 | Diodes Incorporated | 二极管配置：1对共阴极 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：5A 正向压降(Vf)：790mV@5A 反向电流(Ir)：100uA@100V | 获取价格 | ||
| S1J-E3--61T | Vishay Intertechnology, Inc. | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：600V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.1V@1A 反向电流(Ir)：1uA@600V | 获取价格 | ||
| NRVA4004T3G | ON Semiconductor | 直流反向耐压(Vr)：400V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.1V@1A 反向电流(Ir)：10uA@400V | 获取价格 | ||
| 1N5408 | Changzhou Starsea Electronic Co., Ltd | 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：1.1V@3A 反向电流(Ir)：5uA@1kV | 获取价格 | ||
| SI2301 | KUU SEMICONDUCTOR | SOT-23场效应晶体管 20V 2.2A 700mW 90mΩ@4.5V,1.5A 0.62V@250uA | 获取价格 | ||
| 1N5408 | MDD辰达半导体 | 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：1.2V@3A 反向电流(Ir)：5uA@1kV | 获取价格 | ||
| SM15C | MDD辰达半导体 | Bi PD=350W VRWM=15V VBR=16.7V VC=38V IPP=10A IR=1uA CJ=68PF | 获取价格 | ||
| SD03C | MDD辰达半导体 | Bi PD=350W VRWM=3.3V VBR=4V VC=13V IPP=20A IR=40uA CJ=450PF | 获取价格 | ||
| 1SMA4744A | Luguang Electronics Technology Co., Ltd. | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：15V 稳压值(范围)：14.3V~15.8V 精度：±5% 功率：1W 反向电流(Ir)：5uA@11.4V 阻抗(Zzt)：14Ω | 获取价格 | ||
| GBLC24C | MDD辰达半导体 | Bi PD=300W VRWM=24V VBR=26.7V VC=56V IPP=3A IR=1uA CJ=0.8PF | 获取价格 | ||
| ESD5Z3V3 | MDD辰达半导体 | Uni PD=158W VRWM=3.3V VBR=5V VC=14.1V IPP=11.2A IR=0.9uA CJ=105PF | 获取价格 | ||
| BAW56 | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 70V +150℃@(Tj) 225mW 1 Pair Common Anode 1.25V@150mA 6ns 2.5uA@75V 200mA SOT-23 | 获取价格 | ||
| HEF4541BT,512 | Nexperia | 类型：可编程计时器 频率：36MHz 工作电压：4.5V~15.5V 工作电流：500uA 工作温度：-40℃~+85℃ | 获取价格 | ||
| DL4733A_R1_10001 | PANJIT SEMI CONDUCTOR | 齐纳/稳压二极管 独立式 10uA@1V 7Ω Single 4.85V~5.36V 1W 5.1V DL-41 | 获取价格 | ||
| ESD5Z12V | MDD辰达半导体 | Uni PD=174W VRWM=12V VBR=14.1V VC=29V IPP=6A IR=0.02uA CJ=35PF | 获取价格 | ||
| 1SMA4733A | Luguang Electronics Technology Co., Ltd. | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：5.1V 稳压值(范围)：4.8V~4.9V 精度：±5% 功率：1W 反向电流(Ir)：10uA@1V 阻抗(Zzt)：7Ω | 获取价格 | ||
| AO3400A | BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. | N沟道增强型MOSFET 30V 5.8A 29mΩ@10V,5.8A 1.4W 1.4V@250uA N Channel SOT-23 | 获取价格 |
