找到“UGS3130UA”相关的规格书共5,914个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| HY1720P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):64A;功率(Pd):263W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):32mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA; | 获取价格 | ||
| HY4504P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):250A;功率(Pd):288W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3mΩ@10V,125A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| HY045N10P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):221W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| IPP041N04N G | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):94W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.1mΩ@10V,80A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@45uA; | 获取价格 | ||
| IPP072N10N3 G | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):150W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.2mΩ@10V,80A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@90uA; | 获取价格 | ||
| SE40160A | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):160A;功率(Pd):100W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5mΩ@10V,16A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| SE60210GA | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):210A;功率(Pd):300W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.6mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| SE10060A | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):170W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):17mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| SE80160GA | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):160A;功率(Pd):285W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| GC11N70T | Goford Semiconductor Co.,Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):700V;连续漏极电流(Id):11A;功率(Pd):83W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):395mΩ@10V,5.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| FDP52N20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):52A;功率(Pd):357W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):49mΩ@10V,26A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA; | 获取价格 | ||
| NCEP01T11 | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):108A;功率(Pd):160W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| LNC04R035B | Lonten Semiconductor Co.,Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):150W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@4.5V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| PDTC124EU,115 | Rubycon Corporation | 60@5mA,5V 150mV@10mA,500uA 1 NPN - Pre Biased 230MHz 200mW 100mA 50V 100nA SOT-323-3 Digital Transistors ROHS | 获取价格 | ||
| HSSN3139 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):500mA;功率(Pd):350mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):630mΩ@4.5V,500mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V@250uA; | 获取价格 | ||
| NTS4001NT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):270mA;功率(Pd):330mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.5Ω@4V,10mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@100uA; | 获取价格 | ||
| 2N7002W | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):115mA;功率(Pd):200mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,500mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| 2N7002WT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):310mA;功率(Pd):280mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.6Ω@10V,500mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| HSU4016 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):75A;功率(Pd):52.1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,15A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| IPD65R400CE | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):15.1A;功率(Pd):118W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):400mΩ@10V,3.2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@320uA; | 获取价格 |
