找到“UGS3130UA”相关的规格书共5,914个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| LP9435LT1G | Leshan Radio Co., Ltd. | 30V 5.3A 50mΩ@10V,5.3A 1.4W 3V@250uA 51pF@15V P Channel 644pF@15V 10nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23 | 获取价格 | ||
| 1N5819WS | JSMICRO SEMICONDUCTOR | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：40V 平均整流电流(Io)：350mA 正向压降(Vf)：600mV@200mA 反向电流(Ir)：5uA@30V | 获取价格 | ||
| US1M | SHENZHEN GOODWORK ELECTRONIC CO.,LTD | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.7V@1A 反向电流(Ir)：5uA@1kV 反向恢复时间(trr)：75ns | 获取价格 | ||
| SL3400 | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：41mΩ@10V,5.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.4V@250uA | 获取价格 | ||
| SL3401S | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：60mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.3V@250uA | 获取价格 | ||
| 1N4002W | Jingdao | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.1V@1A 反向电流(Ir)：5uA@100V 100V,1A,VF=1.1V@1A | 获取价格 | ||
| BZT52C2V7 | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：2.7V 稳压值(范围)：2.5V~2.9V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：120uA@1V 阻抗(Zzt)：110Ω | 获取价格 | ||
| SL60N06 | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11.5mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA | 获取价格 | ||
| SL2310 | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：105mΩ@10V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@250uA | 获取价格 | ||
| SL2305 | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@4.5V,4.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA | 获取价格 | ||
| 2N7002E | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA | 获取价格 | ||
| 1N4148WS | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 功率：350mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：1uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| T2N7002BK,LM | TOSHIBA CORPORATION | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：400mA 功率(Pd)：320mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.1V@250uA | 获取价格 | ||
| PMF370XN,115 | Nexperia | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：870mA 功率(Pd)：560mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：440mΩ@4.5V,200mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA | 获取价格 | ||
| US1M | Yenji Electronics co.,Ltd | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.7V@1A 反向电流(Ir)：5uA@1kV 反向恢复时间(trr)：75ns | 获取价格 | ||
| TS2464A(TSSOP-14) | Trusignal Microelectronics | 6.5MHz 轨到轨 5V/us Iq=580uA(per amp) Vos=3.5mV(Max) 四通道 产品性能媲美TI的OPA4374、ST的TSV914、MicroChip的MCP6284等 | 获取价格 | ||
| MMBZ5223BS-7-F | Diodes Incorporated | 二极管配置：2个独立式 稳压值(标称值)：2.7V 稳压值(范围)：2.57V~2.84V 功率：200mW 反向电流(Ir)：75uA@1V 阻抗(Zzt)：30Ω | 获取价格 | ||
| 1N4746A | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：18V 稳压值(范围)：17.1V~18.9V 精度：±5% 功率：1W 反向电流(Ir)：5uA@13.7V 阻抗(Zzt)：20Ω 18V 1W | 获取价格 | ||
| 1SMB5929BT3G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：15V 稳压值(范围)：14.25V~15.75V 精度：±5% 功率：550mW 反向电流(Ir)：1uA@11.4V 阻抗(Zzt)：9Ω | 获取价格 | ||
| MURA210T3G | ON Semiconductor | 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：940mV@2A 反向电流(Ir)：2uA@100V 反向恢复时间(trr)：30ns 工作温度：-65℃~+175℃@(Tj) | 获取价格 |
