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型号厂商描述数据手册替代料参考价格
FQB6N40CTMMurata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):400V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):73W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):830mΩ@10V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):16nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):480pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):15pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
FQA7N80C-F109Murata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):800V;连续漏极电流(Id):7A;功率(Pd):198W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.57Ω@10V,3.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):27nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.29nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):10pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
FQD13N06TMMurata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):28W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):5.8nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):240pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):15pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
FDPF44N25TRDTUMurata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):250V;连续漏极电流(Id):44A;功率(Pd):38W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):58mΩ@10V,22A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):47nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.21nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):60pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
FQB8N90CTMMurata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):900V;连续漏极电流(Id):6.3A;功率(Pd):171W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.6Ω@10V,3.15A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):35nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.6nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):12pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
FQA170N06Murata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):170A;功率(Pd):375W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.5Ω@10V,85A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):220nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):7.2nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):620pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj);获取价格
FQB10N50CFTM-WSMurata Manufacturing Co., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):143W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):510mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):45nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.66nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):17.5pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
SWD6N65DSEMIPOWER TECHNOLOGY CO.,LTD.漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):6A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.3Ω;获取价格
SWD040R03VLTSEMIPOWER TECHNOLOGY CO.,LTD.漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):100A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.7mΩ;获取价格
SWB046R08E9TSEMIPOWER TECHNOLOGY CO.,LTD.漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):160A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.5mΩ;获取价格
SWB030R04VTSEMIPOWER TECHNOLOGY CO.,LTD.漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):130A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8mΩ;获取价格
SWD056R68E7TSEMIPOWER TECHNOLOGY CO.,LTD.漏源电压(Vdss):68V;连续漏极电流(Id):100A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.8mΩ;获取价格
SWD068R68E7TSEMIPOWER TECHNOLOGY CO.,LTD.漏源电压(Vdss):68V;连续漏极电流(Id):90A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.1mΩ;获取价格
ASDM3416EZA-RAscend Frequency DevicesN型MOS管@@VDS20V,ID7ARDS(on),Typ@VGS=4.5V16mR获取价格
2333Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd.类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;获取价格
FDV305NMurata Manufacturing Co., Ltd.类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;获取价格
FS2312Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;获取价格
FDC6306PMurata Manufacturing Co., Ltd.类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;获取价格
PTD7N65ShenZhen Puolop Electronics co.,LTD.类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;获取价格
PMV48XPTech Public Electronics Co.,Ltd.MOSFETs P-Channel Vds=20V Vgs=±12V Pd=1.7W SOT23-3获取价格