找到“VGS-25-XX”相关的规格书共376,084个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| BUK7K45-100EX | Rubycon Corporation | 类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):21.4A;功率(Pd):53W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@1mA;栅极电荷(Qg@Vgs):25.9nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.15nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):84pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FQPF2N80YDTU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):800V;连续漏极电流(Id):1.5A;功率(Pd):35W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.9mΩ@10V,750mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):12nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):425pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):5.5pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FQA10N80C-F109 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):800V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):240W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):930mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):45nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.15nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):15pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FQA160N08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):160A;功率(Pd):375W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.6mΩ@10V,80A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):225nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):6.1nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):530pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FCP600N60Z | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):7.4A;功率(Pd):89W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):510mΩ@10V,3.7A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):20nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):840pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):30pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDPF51N25RDTU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):250V;连续漏极电流(Id):51A;功率(Pd):38W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):48mΩ@10V,25.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):55nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.62nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):63pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDB8443 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):182A;功率(Pd):188W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.3mΩ@10V,80A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.8V@500uA;栅极电荷(Qg@Vgs):142nC@0~10V;输入电容(Ciss@Vds):9.31nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):510pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FQA44N30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):300V;连续漏极电流(Id):43.5A;功率(Pd):310W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):55mΩ@10V,21.75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):120nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):4.35nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):75pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HSL0004 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):3A;功率(Pd):1.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):112mΩ@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| HSL6008 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):2.8A;功率(Pd):1.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@10V,2.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| NCEP85T25D | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):85V;连续漏极电流(Id):250A;功率(Pd):300W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.6mΩ@10V,100A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| IPN70R1K4P7S | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):700V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):6.2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.4Ω@10V,700mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@40uA; | 获取价格 | ||
| IPN70R900P7S | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):700V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):6.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):900mΩ@10V,1.1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@60uA; | 获取价格 | ||
| AOB254L-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):45A;功率(Pd):3.7W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V,15A;阈值电压(Vgs(th)@Id):6V@250uA; | 获取价格 | ||
| AOD536 | ElecSuper | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):46A;功率(Pd):37.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,20.0A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| WSF30150A | Winsok power Semiconductor CO., LTD | Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 30 VGS(V) 20 ID(A)Max. 145 VGS(th)(v) 1.6 RDS(ON)(m?)@4.366V 3.1 Qg(nC)@4.5V 22 QgS(nC) 4.3 Qgd(nC) 8.3 Ciss(pF) 2450 Coss(pF) 590 Crss(pF) 245 | 获取价格 | ||
| HB3510P | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):83W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):38mΩ@10V,15A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| VBL1105 | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):110A;功率(Pd):375W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| VBL1405 | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):150W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5mΩ@10V,100A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| LSE70R380GT | Lonten Semiconductor Co.,Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):700V;连续漏极电流(Id):11A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):380mΩ@10V,5.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | 获取价格 |
