找到“bts650p”相关的规格书共6,180个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| ER1537-13JP | API Delevan Inc. | 1.1 µH 无屏蔽 模制 电感器 650 mA 420 毫欧最大 轴向 | 获取价格 | ||
| ER1537-18JM | API Delevan Inc. | 1.8 µH 无屏蔽 模制 电感器 525 mA 650 毫欧最大 轴向 | 获取价格 | ||
| ER1641-202JR | API Delevan Inc. | 2 µH 屏蔽 模制 电感器 650 mA 190 毫欧最大 轴向 | 获取价格 | ||
| 2474R-31J | API Delevan Inc. | 330 µH 无屏蔽 模制 电感器 740 mA 650 毫欧最大 轴向 | 获取价格 | ||
| ER1537-13JR | API Delevan Inc. | 1.1 µH 无屏蔽 模制 电感器 650 mA 420 毫欧最大 轴向 | 获取价格 | ||
| 9250-222-RC | Bourns Inc. | 2.2 µH 屏蔽 鼓芯，绕线式 电感器 650 mA 190 毫欧最大 轴向 | 获取价格 | ||
| SPW35N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 34.6A TO247-3 | 获取价格 | ||
| IPB65R190CFDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK | 获取价格 | ||
| IPD60R3K4CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 2.6A TO252-3 | 获取价格 | ||
| AIKB15N65DH5ATMA1 | Infineon Technologies | IGBT NPT 650 V 15 A 表面贴装型 PG-TO263-3-2 | 获取价格 | ||
| NVD260N65S3T4G | ON Semiconductor | 表面贴装型 N 通道 650 V 12A（Tc） 90W（Tc） DPAK | 获取价格 | ||
| UF3SC065030B7S | Qorvo, Inc | 表面贴装型 N 通道 650 V 62A（Tc） 214W（Tc） D2PAK-7 | 获取价格 | ||
| IGD10N65T6ARMA1 | Infineon Technologies | IGBT 沟槽型场截止 650 V 23 A 75 W 表面贴装型 PG-TO252-3 | 获取价格 | ||
| 2N65L | Shenzhen UMW Semiconductor Co., Ltd. | 表面贴装型 N 通道 650 V 2A（Tj） TO-252（DPAK） | 获取价格 | ||
| NTH4L075N065SC1 | ON Semiconductor | 通孔 N 通道 650 V 38A（Tc） 148W（Tc） TO-247-4L | 获取价格 | ||
| IXFH60N65X2-4 | IXYS Integrated Circuits Division | 通孔 N 通道 650 V 60A（Tc） 780W（Tc） TO-247-4L | 获取价格 | ||
| UF3C065030K4S | Qorvo, Inc | 通孔 N 通道 650 V 85A（Tc） 441W（Tc） TO-247-4 | 获取价格 | ||
| UF3C065040K4S | Qorvo, Inc | 通孔 N 通道 650 V 54A（Tc） 326W（Tc） TO-247-4 | 获取价格 | ||
| CGD65B130S2-T13 | Cambridge GaN Devices | 表面贴装型 650 V 12A（Tc） 8-DFN（5x6） | 获取价格 | ||
| CGD65B200S2-T13 | Cambridge GaN Devices | 表面贴装型 650 V 8.5A（Tc） 8-DFN（5x6） | 获取价格 |
