找到“bts650p”相关的规格书共6,180个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| TPNTK3134NT1G | Tech Public Electronics Co.,Ltd. | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：950mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：200mΩ@4.5V,550mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：650mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：1.15nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：50pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：8pF@10V 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| ATM2N65TD | Agertech | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):28W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.9Ω@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):45nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):370pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):9pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC858BW | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):650mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):220@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCP55,135 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):650mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V;特征频率(fT):180MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCP56-10,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):650mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V;特征频率(fT):180MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC856BDW1T3G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:2个PNP;集射极击穿电压(Vceo):65V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):650mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC857BDW1T1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:2个PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):380mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):650mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FCP110N65F | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):35A;功率(Pd):357W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):96mΩ@10V,17.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@3.5mA;栅极电荷(Qg@Vgs):98nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3.68nF@100V;反向传输电容(Crss@Vds):0.65pF@100V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCP69-16,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):650mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@500mA,1V;特征频率(fT):140MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NCE65TF180D | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):21A;功率(Pd):188W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):160mΩ@10V,10.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):36nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.25nF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):-;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| JCS10N65ST-S-AR | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):9.5A;功率(Pd):178W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):850mΩ@10V,4.75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):34nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.61nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):20pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PBSS5240ZX | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):1.35W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):650mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):55@2A,5V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NCE65TF130 | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):28A;功率(Pd):260W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@10V,14A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):37.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.07nF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):-;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SM420R65CT2TL | Sourcechips | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):11A;功率(Pd):31W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):420mΩ@10V,5.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):39nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):680pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):7pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| APJ14N65D | Taiwan APM Technology Limited By Share Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):8A;功率(Pd):25.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):560mΩ@10V,3.2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):11nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):438pF@100V;反向传输电容(Crss@Vds):1.32pF@100V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SMIRF4N65T9RL | Sourcechips | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.3Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):13.7nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):610pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):7pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC856BWT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):65V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):150mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):650mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| GAN063-650WSAQ | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):34.5A;功率(Pd):143W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@10V,25A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.9V@1mA;栅极电荷(Qg@Vgs):15nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1nF@400V;反向传输电容(Crss@Vds):8pF@400V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC856BM3T5G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):65V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):265mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):650mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC857CLT3G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):225mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):650mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):520@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 |
