找到“ft5526eez”相关的规格书共9,154个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| 2SA1514KFRAT146 | Rohm Semiconductor | Transistor, Aec-Q101, Pnp, -120V, Sot346; Transistor Polarity:pnp; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:-120V; Transition Frequency Ft:140Mhz; Power Dissipation Pd:200Mw; Dc Collector Current:-50Ma; Dc Current Gain Hfe:180Hfe; Rohs Compliant: Yes | 获取价格 | ||
| PBSS301ND,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):4A;功率(Pd):360mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@6A,600mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):230@6A,2V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MMST3906 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@50mA,5mA;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SA1576A | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):150mA;功率(Pd):200mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):180@1mA,6V;特征频率(fT):140MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2N5551L-B-T92-K | Unisonic Technology Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):50nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@50mA,5mA;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MMBT3904 | TWGMC | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：200mA 功率(Pd)：200mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@50mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V 特征频率(fT)：300MHz 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| 2SC4226-T1 | NEC Electronics | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):12V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):150mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):70@3mA,7V;特征频率(fT):4.5GHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| C945AF | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):52V;集电极电流(Ic):150mA;功率(Pd):400mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@100mA,10mA;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| C9012A | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):450mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@100mA,5mA;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| C2383A | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):900mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.5V@500mA,50mA;特征频率(fT):20MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 3DD13009A8 | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):12A;功率(Pd):100W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):450mV@8A,1.6A;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 3DD13009K-O-C-N-B | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):12A;功率(Pd):100W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.8V@8A,1.6A;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):8@5A,5V;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 4620 KIT-150FT | AEMC® Instruments | AEMC - 4620 KIT-150FT - 80K0388 - GROUND RESISTANCE TESTER, 0 OHM TO 2KOHM; Measuring Functions:2, 3 and 4 Pole; Resistance Measurement Range:0.1ohm to 1999ohm; Resistance Measurement Frequency:128Hz; Product Range:-; Accuracy: 2%; External Depth:273mm | 获取价格 | ||
| BFP 182W H6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):12V;集电极电流(Ic):35mA;功率(Pd):250mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,8V;特征频率(fT):8GHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC 857BL3 E6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BFR 843EL3 E6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):2.25V;集电极电流(Ic):55mA;功率(Pd):125mW;集电极截止电流(Icbo):400nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):360@1mA,1.8V;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC 847BL3 E6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BFP 193W H6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):12V;集电极电流(Ic):80mA;功率(Pd):580mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@30mA,8V;特征频率(fT):8GHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC 846S H6433 | Infineon Technologies | 晶体管类型:2个NPN;集射极击穿电压(Vceo):65V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCX 53-16 H6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):2W;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@150mA,2V;特征频率(fT):125MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 |
