找到“ft5526eez”相关的规格书共9,154个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| BFQ19SH6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):15V;集电极电流(Ic):120mA;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@70mA,8V;特征频率(fT):5.5GHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| B772 | WPMTEK TECHNOLOGY INCORPORATED CO. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@2A,200mA;特征频率(fT):50MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| S9013 | DOESHARE | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):300mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| M28S | Shenzhen UMW Semiconductor Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):550mV@600mA,20mA;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SA1036KFRAT146R | Rohm Semiconductor | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):32V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):1μA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@300mA,30mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):-;特征频率(fT):200MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SA1037AKFRAT146R | Rohm Semiconductor | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):150mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@50mA,5mA;特征频率(fT):140MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MJD45H11RLG | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):8A;功率(Pd):1.75W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@8A,400mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@4A,1V;特征频率(fT):90MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BU406T1TL | Sourcechips | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):200V;集电极电流(Ic):7A;功率(Pd):60W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@2A,5V;特征频率(fT):10MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MJE13003 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1.25W;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@200mA,40mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@200mA,10V;特征频率(fT):5MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| KSD1691YSTU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):1.3W;集电极截止电流(Icbo):10uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):100mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@1A,2V;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| KSC1815YTA | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):150mA;功率(Pd):400mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):100mV@100mA,10mA;特征频率(fT):80MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MMBT3904 | CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：- 集电极截止电流(Icbo)：- 功率(Pd)：- 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：- 集射极击穿电压(Vceo)：- 特征频率(fT)：- 集电极电流(Ic)：- 工作温度(最小值)：- 晶体管类型：- | 获取价格 | ||
| BC807-16W | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):700mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,1V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BDP 954 H6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):5W;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):85@500mA,1V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BFR 740EL3 E6829 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):4V;集电极电流(Ic):40mA;功率(Pd):160mW;集电极截止电流(Icbo):40nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):210@25mA,3V;特征频率(fT):42GHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BFN 18 H6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):1.5W;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@20mA,2mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):25@1mA,10V;特征频率(fT):70MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCM847DS,135 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:2个NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):380mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FJP13009TU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):12A;功率(Pd):100W;集电极截止电流(Icbo):1mA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):3V@12A,3A;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):6@8A,5V;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SC4027S-TL-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@500mA,50mA;特征频率(fT):120MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BUB323ZT4G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Bipolar Transistor, Darli.; Transistor Polarity:npn; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:350V; Transition Frequency Ft:2Mhz; Power Dissipation Pd:150W; Dc Collector Current:10A; Dc Current Gain Hfe:500Hfe; Transistor Case Rohs Compliant: Yes | 获取价格 |
