找到“ft5526eez”相关的规格书共9,154个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| A94 | HL | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@50mA,5mA;特征频率(fT):50MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| USB串口转换器 | Guangzhou Xingyi Electronic Technology Co., Ltd | 产品型号: ATK-三合一 USB 串口转换器(FT232 隔离版) ，通信方式：USB，工作电压：5V（USB 供电），工作电流：40~100mA@5V ，工作温度：-30℃~+75℃ ，外形尺寸：86mm*50mm*21mm | 获取价格 | ||
| ATK-三合一USB串口转换器（FT232隔离版） | Guangzhou Xingyi Electronic Technology Co., Ltd | 产品型号: ATK-三合一 USB 串口转换器(FT232 隔离版) ，通信方式：USB，工作电压：5V（USB 供电），工作电流：40~100mA@5V ，工作温度：-30℃~+75℃ ，外形尺寸：86mm*50mm*21mm | 获取价格 | ||
| L2SC1623QLT1G | Leshan Radio Co., Ltd. | NPN 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：150mA 功率(Pd)：225mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：150mV@100mA,10mA 特征频率(fT)：250MHz 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| LBC846BDW1T1G | Leshan Radio Co., Ltd. | 2个NPN 集射极击穿电压(Vceo)：65V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：380mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：600mV@100mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：290@2mA,5V 特征频率(fT)：100MHz | 获取价格 | ||
| LBC817-25WT1G | Leshan Radio Co., Ltd. | NPN 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：150mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：700mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：160@100mA,1V 特征频率(fT)：100MHz | 获取价格 | ||
| S8550 SOT523 | CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：- 集电极截止电流(Icbo)：- 功率(Pd)：- 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：- 集射极击穿电压(Vceo)：- 特征频率(fT)：- 集电极电流(Ic)：- 工作温度(最小值)：- 晶体管类型：- SOT-523 | 获取价格 | ||
| FZT953 | GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):3W;集电极截止电流(Icbo):50nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):420mV@4A,400mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@1A,1V;特征频率(fT):125MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SA733G-CS | Changzhou Galaxy microelectronics Limited | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):180mV@100mA,10mA;特征频率(fT):180MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| C2383B | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):900mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;特征频率(fT):140MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2N5551A | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):90mV@50mA,5mA;特征频率(fT):110MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| B834A | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@3A,300mA;特征频率(fT):3MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| D880A | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@3A,300mA;特征频率(fT):3MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC848CW | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):420@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 3DD13005MD-220 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):4A;功率(Pd):75W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):2V@4A,1A;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):8@500mA,10V;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SA1943 | MINOS | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):230V;集电极电流(Ic):15A;功率(Pd):150W;集电极截止电流(Icbo):5uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):3V@8A,800mA;特征频率(fT):30MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BFP 720F H6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):4V;集电极电流(Ic):25mA;功率(Pd):100mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):250@13mA,3V;特征频率(fT):45GHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BFP 720ESD H6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):4.2V;集电极电流(Ic):30mA;功率(Pd):100mW;集电极截止电流(Icbo):400nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):250@15mA,3V;特征频率(fT):43GHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BFP 183W H6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):12V;集电极电流(Ic):65mA;功率(Pd):450mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@15mA,8V;特征频率(fT):8GHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BFP 780 H6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):6.1V;集电极电流(Ic):120mA;功率(Pd):600mW;集电极截止电流(Icbo):40nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@90mA,5V;特征频率(fT):20GHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 |
