找到“ft5526eez”相关的规格书共9,154个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N6388G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transistor, Bipol, Npn, 80V, To-220-3; Transistor Polarity:npn; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:80V; Transition Frequency Ft:-; Power Dissipation Pd:65W; Dc Collector Current:10A; Dc Current Gain Hfe:100Hfe; Transistor Case Rohs Compliant: Yes | 获取价格 | ||
| 2N6034G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transistor, Pnp, -40V, -4A, To-225; Transistor Polarity:pnp; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:40V; Transition Frequency Ft:-; Power Dissipation Pd:40W; Dc Collector Current:-4A; Dc Current Gain Hfe:100Hfe; Transistor Case Rohs Compliant: Yes | 获取价格 | ||
| BD435STU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):32V;集电极电流(Ic):4A;功率(Pd):36W;集电极截止电流(Icbo):100μA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@10mA,5V;特征频率(fT):3MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BDX53BG | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):8A;功率(Pd):65W;集电极截止电流(Icbo):200uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):4V@3A,12mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V;特征频率(fT):-;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FJPF13009H2TU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):12A;功率(Pd):50W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):3V@12A,3A;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):6@8A,5V;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2N6488G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):15A;功率(Pd):1.8W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):3.5V@15A,5A;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@4A,5V;特征频率(fT):5MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2N6487G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):15A;功率(Pd):75W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):3.5V@15A,5A;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@5A,4V;特征频率(fT):5MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MMBT4401 | CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):300mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@150mA,15mA;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| CZT5401 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):150V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):50nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):60@10mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCP56-10 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-; | 获取价格 | ||
| PZTA42T1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@20mA,2mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):25@1mA,10V;特征频率(fT):50MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCP56T1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@150mA,2V;特征频率(fT):130MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PZTA92G-AA3-R | Unisonic Technology Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):250nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@20mA,2mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):60@1mA,10V;特征频率(fT):50MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BF720T1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):10nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@30mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):50@25mA,20V;特征频率(fT):60MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| B772M | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1.25W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1A,2V;特征频率(fT):80MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SD1760 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,3V;特征频率(fT):90MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SD1899 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):10μA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@1.5A,150mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@600mA,2V;特征频率(fT):120MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SA1012 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):1.25W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@3A,150mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@1A,1V;特征频率(fT):60MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SD1802 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@2A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,2V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCX56,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V;特征频率(fT):180MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 |
