找到“ft5526eez”相关的规格书共9,154个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| 2SC945-P | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):150mA;功率(Pd):250mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):150mV@100mA,10mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1mA,6V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| KSC2383YTA | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):900mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.5V@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@500mA,2V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SC2983 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):1μA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.5V@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):70@100mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MJE15030G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):150V;集电极电流(Ic):8A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):10uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@1A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@4A,2V;特征频率(fT):30MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MJE15032G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):250V;集电极电流(Ic):8A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):10uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@1A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):10@2A,5V;特征频率(fT):30MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SC2073T1TL | Sourcechips | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):150V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):25W;集电极截止电流(Icbo):10uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.5V@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@500mA,10V;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MMBT2222AWT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):150mW;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V;特征频率(fT):300MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC817-25W,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):700mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC817-40W,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):700mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):250@100mA,1V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MMST5401 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):150V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):50nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NJD2873T4G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@1A,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,2V;特征频率(fT):65MHz;工作温度:-65℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MMBT3904M | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):100mW;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V;特征频率(fT):300MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MMBT3904M 1N | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):100mW;集电极截止电流(Icbo):50nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V;特征频率(fT):300MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SB649A-C | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):10uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,5V;特征频率(fT):140MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| KTC3202-Y-AT--P | KEC CORPORATION | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):100mV@100mA,10mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):70@100mA,1V;特征频率(fT):300MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC546 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):65V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@2mA,5V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| A733 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):180mV@100mA,10mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1mA,6V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| S9014-TA | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):450mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1mA,5V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SB1261-M | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):10uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@1.5A,150mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@600mA,2V;特征频率(fT):50MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PXT8050 | HANGZHOU DONGWO ELECTRONIC TECHNOLOGY CO. LTD. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@800mA,80mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,1V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 |
