找到“ir7843”相关的规格书共7,864个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| MMSZ5242BT1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：12V 稳压值(范围)：11.4V~12.6V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：1uA@9.1V 阻抗(Zzt)：30Ω | 获取价格 | ||
| MMSZ5227BT1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：3.6V 稳压值(范围)：3.42V~3.78V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：15uA@1V 阻抗(Zzt)：24Ω | 获取价格 | ||
| MMBZ5221BLT1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：2.4V 稳压值(范围)：2.28V~2.52V 功率：300mW 反向电流(Ir)：100uA@1V 阻抗(Zzt)：30Ω | 获取价格 | ||
| RMSB40M | MDD辰达半导体 | 直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):4A;正向压降(Vf):1.3V@4A;反向电流(Ir):5uA@1kV;正向浪涌电流(Ifsm):95A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| RMSB30M | MDD辰达半导体 | 直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):1.3V@3A;反向电流(Ir):5uA@1kV;正向浪涌电流(Ifsm):90A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| P6KE36CA/B | Brightking | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):30.8V;击穿电压:34.2V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:12.2A;最大钳位电压:49.9V; | 获取价格 | ||
| P6KE11A/B | Brightking | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):9.4V;击穿电压:10.5V;反向漏电流(Ir):5uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:39.1A;最大钳位电压:15.6V; | 获取价格 | ||
| P6KE150A/B | Brightking | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):128V;击穿电压:143V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:2.9A;最大钳位电压:207V; | 获取价格 | ||
| P6KE27A/B | Brightking | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):23.1V;击穿电压:25.7V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:16.3A;最大钳位电压:37.5V; | 获取价格 | ||
| P6KE8.2CA/B | Brightking | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):7.02V;击穿电压:7.79V;反向漏电流(Ir):200uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:50.4A;最大钳位电压:12.1V; | 获取价格 | ||
| P6KE24A/B | Brightking | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):20.5V;击穿电压:22.8V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:18.4A;最大钳位电压:33.2V; | 获取价格 | ||
| P6KE170CA | Createk Microelectronics | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):145V;击穿电压:162V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:2.6A;最大钳位电压:234V; | 获取价格 | ||
| P6KE8.2A | Luguang Electronics Technology Co., Ltd. | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):7.02V;击穿电压:7.79V;反向漏电流(Ir):200uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:52A;最大钳位电压:12.1V; | 获取价格 | ||
| P6KE62CA | SEMBO ELECTRONICS | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):53V;击穿电压:58.9V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:7.1A;最大钳位电压:85V; | 获取价格 | ||
| P6KE200A | Leiditech Electronic | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):171V;击穿电压:190V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:2.2A;最大钳位电压:274V; | 获取价格 | ||
| B1D10120F | Shenzhen BASiC Semiconductor LTD., | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1.2kV;平均整流电流(Io):30A;正向压降(Vf):1.46V@10A;反向电流(Ir):4.5uA@1.2kV; | 获取价格 | ||
| B1D10065F | Shenzhen BASiC Semiconductor LTD., | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):32A;正向压降(Vf):1.43V@10A;反向电流(Ir):70uA@650V; | 获取价格 | ||
| ASD2065P2 | Anbon Semiconductor Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):40A;正向压降(Vf):1.45V@10A;反向电流(Ir):10uA@650V; | 获取价格 | ||
| GBU810 | Anbon Semiconductor Co., Ltd. | 直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):8A;正向压降(Vf):1.1V@4A;反向电流(Ir):10uA@1kV;正向浪涌电流(Ifsm):200A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| GBU2008A | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 直流反向耐压(Vr):800V;平均整流电流(Io):3.5A;正向压降(Vf):1V@10A;反向电流(Ir):5uA@800V;正向浪涌电流(Ifsm):300A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 |
