找到“ir7843”相关的规格书共7,864个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| SS18 | Jingdao | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：80V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：700mV@1A 反向电流(Ir)：200μA@80V 80V 1A VF=0.7V@1A | 获取价格 | ||
| 1N5231B | ST(先科) | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：5.1V 稳压值(范围)：4.85V~5.35V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：5μA@2V 阻抗(Zzt)：17Ω 5.1V 0.5W | 获取价格 | ||
| SM24C | MDD辰达半导体 | Bi PD=350W VRWM=24V VBR=26.7V VC=52V IPP=7A IR=1uA CJ=50PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 | 获取价格 | ||
| SOD1F3 F3 | MDD辰达半导体 | 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.3V@1A 反向电流(Ir)：10μA@200V 反向恢复时间(trr)：150ns 工作温度：-50℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| HER207 | Luguang Electronics Technology Co., Ltd. | 2.0安培。玻璃钝化高效整流器-65℃~+150℃@(Tj) IR=5uA@800V IAV=2A VF=1.7V@2A Trr=75ns Single VRRM=800V DO-15 | 获取价格 | ||
| LUM6B | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 直流反向耐压(Vr)：600V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.1V@1A 反向电流(Ir)：5μA@600V 正向浪涌电流(Ifsm)：35A 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| KBP10G | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：1.5A 正向压降(Vf)：1.1V@1.5A 反向电流(Ir)：5μA@1kV 正向浪涌电流(Ifsm)：40A | 获取价格 | ||
| GBLC03C | MDD辰达半导体 | Bi PD=300W VRWM=3V VBR=4V VC=13.9V IPP=8A IR=2uA CJ=0.8PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 | 获取价格 | ||
| 1SS400 | Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd | 二极管配置：独立式 功率：150mW 直流反向耐压(Vr)：80V 平均整流电流(Io)：100mA 正向压降(Vf)：1.2V@100mA 反向电流(Ir)：100nA@80V | 获取价格 | ||
| ESD3Z3V3BU | MDD辰达半导体 | Bi PD=84W VRWM=3.3V VBR=4.2V VC=21V IPP=4A IR=0.1uA CJ=0.5PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 | 获取价格 | ||
| 1SS355 | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 二极管配置：独立式 功率：200mW 直流反向耐压(Vr)：80V 平均整流电流(Io)：100mA 正向压降(Vf)：1.2V@100mA 反向电流(Ir)：100nA@80V | 获取价格 | ||
| 1N4751A | Tak Cheong Electronics(Holdings)Co.,Ltd. | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：30V 稳压值(范围)：28.5V~31.5V 精度：±5% 功率：1W 反向电流(Ir)：5uA@22.8V 阻抗(Zzt)：40Ω 30V 1W | 获取价格 | ||
| SSL310F | Jingdao | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：600mV@3A 反向电流(Ir)：100μA@100V | 获取价格 | ||
| M1 | DIOTEC | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：50V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.1V@ 1A 反向电流(Ir)：5μA@ 50V | 获取价格 | ||
| 1SS355VMFHTE-17 | Rohm Semiconductor | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：80V 平均整流电流(Io)：100mA 正向压降(Vf)：1.2V@100mA 反向电流(Ir)：100nA@80V | 获取价格 | ||
| 1N4937_AY_10001 | PANJIT SEMI CONDUCTOR | 正向压降(Vf)：1.2V 1A 直流反向耐压(Vr)：600V 工作温度(最大值)：+150℃ (Tj) 平均整流电流(Io)：1A 反向电流(Ir)：5μA 600V 反向恢复时间(trr)：200ns | 获取价格 | ||
| 1N5817WS | CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：20V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：750mV@3A 反向电流(Ir)：1mA@20V SJ(SJ表示丝印) | 获取价格 | ||
| 1N5819W | TWGMC | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：40V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：900mV@3A 反向电流(Ir)：1mA@40V | 获取价格 | ||
| KBJ2510 | SHENZHEN GOODWORK ELECTRONIC CO.,LTD | 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：25A 正向压降(Vf)：1.05V@3A 反向电流(Ir)：10A@1kV 正向浪涌电流(Ifsm)：350A | 获取价格 | ||
| BZT52C6V2 | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：6.2V 稳压值(范围)：5.8V~6.6V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：1uA@3V 阻抗(Zzt)：50Ω | 获取价格 |
