找到“ir7843”相关的规格书共7,864个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| BAS70-04 | Anbon Semiconductor Co., Ltd. | 二极管配置：1对串联式 功率：200mW 直流反向耐压(Vr)：70V 平均整流电流(Io)：70mA 正向压降(Vf)：1V@15mA 反向电流(Ir)：120nA@50V 反向恢复时间(trr)：5ns 工作温度：+125℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| BAV70WT1G | ON Semiconductor | 二极管配置：1对共阴极 功率：300mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：200mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：1uA@100V 反向恢复时间(trr)：6ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| 1.5KE33CA | EIC | 极性：双向 反向截止电压(Vrwm)：28.2V 击穿电压(最小值)：31.4V 击穿电压(最大值)：34.7V 反向漏电流(Ir)：1uA 最大钳位电压：45.7V 峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs：1.5kW | 获取价格 | ||
| TC1N4148T26B | Tak Cheong Electronics(Holdings)Co.,Ltd. | 二极管配置：独立式 功率：500mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1V@10mA 反向电流(Ir)：5μA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| RHRG75120 | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：1.2kV 平均整流电流(Io)：75A 正向压降(Vf)：3.2V@75A 反向电流(Ir)：250uA@1.2kV 反向恢复时间(trr)：100ns 工作温度：-65℃~+175℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| MUR1100EG | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.75V@1A 反向电流(Ir)：10uA@1kV 反向恢复时间(trr)：100ns 工作温度：-65℃~+175℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| SMMSD4148T1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 功率：200mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：200mA 正向压降(Vf)：1V@10mA 反向电流(Ir)：5uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| 1N4448WS | Jingdao | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：250mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：2.5uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| MUR6060P | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：600V 平均整流电流(Io)：60A 正向压降(Vf)：1.7V@60A 反向电流(Ir)：15μA@1.2kV 反向恢复时间(trr)：75ns 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| 1SS193 | Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd | 二极管配置：独立式 功率：150mW 直流反向耐压(Vr)：80V 平均整流电流(Io)：100mA 正向压降(Vf)：1.2V@100mA 反向电流(Ir)：500nA@80V 反向恢复时间(trr)：4ns 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| TSOP32238 | Vishay Intertechnology, Inc. | The TSOP322.., TSOP348.., TSOP324..和 TSOP344..系列是用于红外遥控系统的小型化红外接收器模块。引脚框上组装了一个PIN二极管和一个前置放大器，环氧树脂封装包含一个IR滤波器。 | 获取价格 | ||
| RS5BC | Jingdao | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：5A 正向压降(Vf)：1.3V@5A 反向电流(Ir)：5μA@100V 反向恢复时间(trr)：150ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| RS1GF | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：400V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.3V@1A 反向电流(Ir)：5μA@400V 反向恢复时间(trr)：150ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) 400V,1A,VF=1.3V@1A | 获取价格 | ||
| US1MW | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.7V@1A 反向电流(Ir)：5μA@1kV 反向恢复时间(trr)：75ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| 1N4148W | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | 二极管配置：独立式 功率：400mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1V@10mA 反向电流(Ir)：5uA@75V 反向恢复时间(trr)：8ns | 获取价格 | ||
| 1N4148W | JSMICRO SEMICONDUCTOR | 二极管配置：独立式 功率：400mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：300mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：1uA@75V 反向恢复时间(trr)：8ns | 获取价格 | ||
| 1N4448WT | CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED | 二极管配置：独立式 功率：150mW 直流反向耐压(Vr)：80V 平均整流电流(Io)：125mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：100nA@80V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| ES3GF | Jingdao | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：400V 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：1.25V@3A 反向电流(Ir)：5μA@400V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| FR103W | Jingdao | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.3V@1A 反向电流(Ir)：5μA@200V 反向恢复时间(trr)：150ns 工作温度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj) 200V,1A,VF=1.3V@1A | 获取价格 | ||
| 1N4148W | Jingdao | 二极管配置：独立式 功率：400mW 正向压降(Vf)：1.25V 150mA 直流反向耐压(Vr)：100V 工作温度(最大值)：+150℃ (Tj) 平均整流电流(Io)：300mA 反向电流(Ir)：1μA 75V 反向恢复时间(trr)：8ns | 获取价格 |
