找到“ir7843”相关的规格书共7,864个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| SF56G | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):1.25V@5A;反向电流(Ir):10uA@400V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| P6SMB39A | Rubycon Corporation | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):33.3V;击穿电压:37.05V;反向漏电流(Ir):5uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:11.1A;最大钳位电压:53.9V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:600W; | 获取价格 | ||
| MURS460 | Zhide Electronic | 直流反向耐压(Vr):600V;正向压降(Vf):1.25V 4A;反向电流(Ir):5uA 600V;反向恢复时间(trr):50ns;二极管配置:独立式;工作结温(Tj):-55℃~+150℃;工作结温(Tj):-55℃~+150℃;平均整流电流(Io):4A; | 获取价格 | ||
| SMAJ20A | YINT Electronics | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):20V;击穿电压(最小值):22.2V;击穿电压(最大值):24.5V;反向漏电流(Ir):1μA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:12.3A;最大钳位电压:32.4V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:400W; | 获取价格 | ||
| SMAJ16CA M2G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | 极性:-;反向截止电压(Vrwm):16V;击穿电压(最小值):17.8V;击穿电压(最大值):-;反向漏电流(Ir):-;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:15.4A;最大钳位电压:26V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:400W; | 获取价格 | ||
| R2M | Chongqing Pingwei Technology (Group) Co., Ltd. | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):1.5A;正向压降(Vf):1.3V@1.5A;反向电流(Ir):5uA@1kV;反向恢复时间(trr):500ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SODSF16-SH | Leshan Radio Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.25V@1A;反向电流(Ir):5uA@400V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 1SS387 | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;功率:150mW;直流反向耐压(Vr):80V;平均整流电流(Io):100mA;正向压降(Vf):1.2V@100mA;反向电流(Ir):500nA@80V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BBY 56-02V H6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;最大反向耐压(Vr):10V;反向电流(Ir):5nA@6V;二极管电容(CT):12.1pF@4V,1MHz;电容比:3.3@C1V/C4V;串联电阻(Rs):250mΩ;工作温度:-55℃~+150℃@(Ta); | 获取价格 | ||
| FFMAF203 | Leshan Radio Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):1.3V@2A;反向电流(Ir):5uA@200V;反向恢复时间(trr):150ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FR304G | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):1.3V@3A;反向电流(Ir):2.5uA@400V;反向恢复时间(trr):150ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MUR1660CD | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):16A;正向压降(Vf):1.45V@8A;反向电流(Ir):10uA@600V;反向恢复时间(trr):25ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SF14G | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):950mV@1A;反向电流(Ir):5uA@200V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FR204 | Chongqing Pingwei Technology (Group) Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):1.3V@2A;反向电流(Ir):5uA@400V;反向恢复时间(trr):150ns;工作温度:-55℃~+125℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SF24 | FORMOSA MICROSEMI CO. LTD | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):950mV@2A;反向电流(Ir):5uA@200V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-65℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HER203 | Luguang Electronics Technology Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):1V@2A;反向电流(Ir):5uA@200V;反向恢复时间(trr):50ns;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PH1N4148TB | T&C Technology | 二极管配置:独立式;功率:500mW;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1V@10mA;反向电流(Ir):25nA@20V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+200℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ES3G | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):1.25V@3A;反向电流(Ir):1uA@400V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| KIA08TB70DD | KIA | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):700V;平均整流电流(Io):8A;正向压降(Vf):1.8V@8A;反向电流(Ir):25uA@600V;反向恢复时间(trr):30ns;工作温度:-65℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 1N4148W | Tak Cheong Electronics(Holdings)Co.,Ltd. | 二极管配置：独立式 功率：400mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1V@10mA 反向电流(Ir)：5uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 |
