找到“mv2101”相关的规格书共6,920个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| ES3D | HANGZHOU DONGWO ELECTRONIC TECHNOLOGY CO. LTD. | Fast Diode, 3A, 200V, Do-214Ab; Repetitive Peak Reverse Voltage:200V; Average Forward Current:3A; Diode Configuration:single; Forward Voltage Max:950Mv; Reverse Recovery Time:20Ns; Forward Surge Current:100A; No. Of Pins:2 Pin Rohs Compliant: Yes | 获取价格 | ||
| E13003DA | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):1μA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@1A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):15@500mA,5V;特征频率(fT):5MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 3DD13007X1 | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):8A;功率(Pd):80W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@5A,1A;特征频率(fT):10MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 3DD13003F6 | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):50W;集电极截止电流(Icbo):100μA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@1A,250mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):-;特征频率(fT):5MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ES1DB | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):950mV@1A;反向电流(Ir):5uA@200V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 3DD13003E1D-92-FJ | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):5uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@500mA,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):7@1.5A,5V;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC 846UPN E6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:1个NPN,1个PNP;集射极击穿电压(Vceo):65V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC 857S H6827 | Infineon Technologies | 晶体管类型:2个PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCV 62A E6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:2个PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):300mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):180@2mA,5V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCX 53-10 H6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):2W;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V;特征频率(fT):125MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2PC4617RMB,315 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):180@1mA,6V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| H11A1SR2VM | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输入电压类型:DC;输出通道数:1;正向电压:1.18V;反向电压:6V;输出电流:30mA;接收端电压:70V;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):400mV@0.5mA,10mA;隔离电压(rms):4.17kV; | 获取价格 | ||
| DTC123TET1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:1个NPN-预偏置;功率(Pd):200mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极截止电流(Icbo):500nA;集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@10mA,1mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V; | 获取价格 | ||
| BD435STU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):32V;集电极电流(Ic):4A;功率(Pd):36W;集电极截止电流(Icbo):100μA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@10mA,5V;特征频率(fT):3MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FIN1104MTCX | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 此 4 端口中继器适用于使用低压差分信号 (LVDS) 技术的高速互联。FIN1104 接受并输出 330 mV 典型差分输出摆幅的 LVDS 电平，即使在高频率下也会提供低 EMI 和超低功耗。FIN1104 为输入上的交流耦合提供 VBB 参考。另外，FIN1104 可以直接接受 LVPECL、HSTL 和 SSTL-2 来转换为 LVDS。 | 获取价格 | ||
| HMHA2801BR2 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输入电压类型:DC;输出通道数:1;正向电压:1.3V;反向电压:6V;输出电流:50mA;接收端电压:80V;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):300mV@2mA,10mA;隔离电压(rms):3.75kV; | 获取价格 | ||
| FODM217BR2V | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输入电压类型:DC;输出通道数:1;正向电压:1.2V;反向电压:6V;输出电流:50mA;接收端电压:80V;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):400mV@2.4mA,8mA;隔离电压(rms):3.75kV; | 获取价格 | ||
| CNY172VM | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输入电压类型:DC;输出通道数:1;正向电压:1.15V;反向电压:6V;输出电流:50mA;接收端电压:70V;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):400mV@2.5mA,10mA;隔离电压(rms):4.17kV; | 获取价格 | ||
| MMBT4401 | CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):300mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@150mA,15mA;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| CZT5401 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):150V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):50nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):60@10mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 |
