找到“mv8733”相关的规格书共6,076个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
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| 1SS187(LF,T) | TOSHIBA CORPORATION | 二极管配置:独立式;功率:150mW;直流反向耐压(Vr):80V;平均整流电流(Io):100mA;正向压降(Vf):920mV@100mA;反向电流(Ir):500nA@80V;反向恢复时间(trr):1.6ns;工作温度:+125℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MMST3906 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@50mA,5mA;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SA1576A | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):150mA;功率(Pd):200mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):180@1mA,6V;特征频率(fT):140MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2N5551L-B-T92-K | Unisonic Technology Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):50nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@50mA,5mA;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| CT521GB | CT Micro | 输入电压类型:DC;输出通道数:1;正向电压:1.25V;反向电压:6V;输出电流:80mA;接收端电压:80V;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):400mV@0.2mA,1mA;隔离电压(rms):5.3kV; | 获取价格 | ||
| CT785GR | CT Micro | 输入电压类型:DC;输出通道数:1;正向电压:1.2V;反向电压:6V;输出电流:80mA;接收端电压:80V;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):200mV@2.4mA,8mA;隔离电压(rms):5.3kV; | 获取价格 | ||
| NE5532DTR | Shenzhen Xinbole Electronics Co., Ltd. | 高性能低噪声双运算放大器，静态功耗Iq(Typ)8mA，工作电压（Vcc）(v)±2.5~±15V，增益带宽积GBW(Typ)(MHZ)10M ，失调电压 VOS（Max)5mV，转换速率Slew rate(V/us)0.9 | 获取价格 | ||
| ES1D | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：950mV@1A 反向电流(Ir)：5μA@200V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| BCP55-16,115 | Nexperia | SOT223-3L晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：60V 集电极电流(Ic)：1A 功率(Pd)：650mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@150mA,2V | 获取价格 | ||
| WL2820D28-4/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | 低噪声，高PSRR，高速度，CMOS LDO 300mA 70dB@(217Hz),60dB@(10kHz) 375mV@(300mA) Fixed 2.8V~2.8V Positive 1 5.5V X2-SON-4-EP(1x1) | 获取价格 | ||
| MMBT3904 | TWGMC | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：200mA 功率(Pd)：200mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@50mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V 特征频率(fT)：300MHz 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| AO7407 | Tech Public Electronics Co.,Ltd. | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：290mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ@4.5V,2.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA 输入电容(Ciss@Vds)：640pF@8V 反向传输电容(Crss@Vds)：82pF@8V 工作温度：+125℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| R1270S001B-E2-KE | RICOH ELECTRONIC DEVICES CO., LTD. | 功能类型:降压型;同步整流:是;输出类型:可调;输出通道数:1;拓扑结构:降压式;输入电压:3.6V~34V;输出电压:800mV~34V;输出电流(最大值):3A;开关频率:2.4MHz;工作温度:-40℃~+125℃@(TA); | 获取价格 | ||
| GM1204AHZ-RL | GONGMOSEMI | GM1204AHZ-RL是一款低噪声、低压差线性稳压器 (LDO)，可提供3A输出电流。压差：353mV。超低噪声：9.8μVRMS（10Hz 至 100kHz）。PSSR（电源抑制比）：73dB/63dB（100Hz/100kHz）。 | 获取价格 | ||
| C945AF | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):52V;集电极电流(Ic):150mA;功率(Pd):400mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@100mA,10mA;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| C9012A | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):450mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@100mA,5mA;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 3DD13009A8 | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):12A;功率(Pd):100W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):450mV@8A,1.6A;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC 857BL3 E6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC 847BL3 E6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC 846S H6433 | Infineon Technologies | 晶体管类型:2个NPN;集射极击穿电压(Vceo):65V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 |
