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| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| BC849BLT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):225mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| CJL2013 | Rubycon Corporation | 类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12.2mΩ@4.5V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):700mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):16nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):935pF@8V;反向传输电容(Crss@Vds):145pF@8V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC817DS,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:2个NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):600mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):700mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PBSS4160DS,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:2个NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):560mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@1A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):180@1A,5V;特征频率(fT):220MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PIMT1,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:2个PNP;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):600mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@1mA,6V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HSW6800 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):1.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):32mΩ@4.5V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):900mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):9.5nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):880pF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):73pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 8550-C | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):280mV@800mA,80mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@100mA,1V;特征频率(fT):200MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HD100N02 | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):87W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.9mΩ@4.5V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):700mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):32nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):2.8nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):265pF@15V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| S8550-H | Jingdao | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):300mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@50mA,1V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NJT4030PT3G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@3A,300mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1A,1V;特征频率(fT):160MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PBHV8115Z,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):150V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):700mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@100mA,10mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):50@500mA,10V;特征频率(fT):30MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PBSS5240ZX | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):1.35W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):650mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):55@2A,5V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PBHV9050Z,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):500V;集电极电流(Ic):250mA;功率(Pd):700mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):140mV@100mA,20mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@50mA,10V;特征频率(fT):50MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PBHV9115Z,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):150V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):700mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):150mV@500mA,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@1A,10V;特征频率(fT):115MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCP56-10T1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V;特征频率(fT):130MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MMBT3904WT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):150mW;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V;特征频率(fT):300MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PMST3906,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):50nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC857W | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):150mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):220@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC847BWT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC807W,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):700mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,1V;特征频率(fT):80MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 |
