找到“pd532a”相关的规格书共12,397个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| ZM4736A | ST(先科) | 硅平面功率齐纳二极管VF=1.2V ±5% IF=200mA Pd=1W | 获取价格 | ||
| ZMM43-M | ST(先科) | 稳压二极管 LL34 Vz=43V Pd=500mW | 获取价格 | ||
| ZMM2V0-M | ST(先科) | 稳压二极管 Vz=2V Pd=500mW LL34 | 获取价格 | ||
| MM3Z2V2 | ST(先科) | 硅平面齐纳二极管 Vz=2.2V IF=10mA VF=0.9 Pd=300mW | 获取价格 | ||
| AP10P500N | APEC | P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：1.2A 功率(Pd)：1.38W | 获取价格 | ||
| PPMT12V4 | Shanghai Prisemi Electronics Co.,Ltd | MOSFETs P-Channel Vdss：12V Id：4.3A Pd：1.3W | 获取价格 | ||
| BZT52C3V6T | MDD辰达半导体 | PD=200mW VZ=3.6V 消费电子、PC、工控、通讯、汽车、智能控制 | 获取价格 | ||
| 7NM65G-TN3-R | Unisonic Technology Co., Ltd. | N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：7A 功率(Pd)：60W | 获取价格 | ||
| MM1Z18W | Jingdao | 硅平面齐纳二极管 Vz=18V Izt=5mA Pd=500mW | 获取价格 | ||
| NCE65T540K | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：69W | 获取价格 | ||
| CJK3400AH | Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 功率(Pd)：450mW | 获取价格 | ||
| ZM4738A | ST(先科) | 硅平面功率齐纳二极管VF=1.2V ±5% IF=200mA Pd=1W | 获取价格 | ||
| ZM4729A | ST(先科) | 硅平面功率齐纳二极管VF=1.2V ±5% IF=200mA Pd=1W | 获取价格 | ||
| NCEP60T12AK | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | MOSFETs VDS=60V VGS=±20V ID=120A PD=180W TO252-2 | 获取价格 | ||
| AOD407 | VBsemi Electronics Co. Ltd | P通道60-V（D-S）MOSFET ID=30A PD=34W TO252 | 获取价格 | ||
| FDS4435BZ | VBsemi Electronics Co. Ltd | P沟道30-V（D-S）MOSFET ID=9A PD=4.2W SOIC8 | 获取价格 | ||
| LSI1012N3T5G | Leshan Radio Co., Ltd. | N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：250mW | 获取价格 | ||
| BZV55C43 L0G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | 台半 MINI MELF Zzk： 600Ω Pd: 500mW Izk: 0.5mA | 获取价格 | ||
| BZV55C22 L0G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | 台半 MINI MELF Zzk： 220Ω Pd: 500mW Izk: 1mA | 获取价格 | ||
| BZV55C18 L0G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | 台半 MINI MELF Zzk： 170Ω Pd: 500mW Izk: 1mA | 获取价格 |
