找到“ua7908ckter”相关的规格书共5,775个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| HY1607B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):68V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):115W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.8mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| VBJ2658 | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):7A;功率(Pd):10.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):65mΩ@4.5V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| 1N65G-AA3-R | Unisonic Technology Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):1.2A;功率(Pd):8W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12.5Ω@10V,600mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| SD103AX | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):40V;平均整流电流(Io):350mA;正向压降(Vf):600mV@200mA;反向电流(Ir):5uA@30V; | 获取价格 | ||
| IPB090N06N3 G | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):71W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@34uA; | 获取价格 | ||
| SE80130G | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):130A;功率(Pd):160W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.3mΩ@10V,60A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| VBL1203M | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:-;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):74W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):300mΩ@10V,5.4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| VBL1310 | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):120W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| LSE65R380GF | Lonten Semiconductor Co.,Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):11A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):380mΩ@10V,5.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| HY1904D | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):72A;功率(Pd):62.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,36A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| ME60N03 | MATSUKI | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):48.5A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| AP9990GH-HF | APEC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA; | 获取价格 | ||
| HD830 | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):550V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):3.13W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.5Ω@10V,2.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| IRFR430ATRPBF | Infineon Technologies | 漏源电压（Vdss）:500V;连续漏极电流（Id）（25°C 时）:5A;栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA;漏源导通电阻:1.7Ω @ 3A,10V;最大功率耗散（Ta=25°C）:110W;类型:N沟道; | 获取价格 | ||
| BCV26,215 | Rubycon Corporation | 30V 20000@5V,100mA PNP 220MHz 100nA 500mA 250mW +150℃@(Tj) 1V@100mA,100uA SOT-23 Darlington Transistors ROHS | 获取价格 | ||
| HSS2302A | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 漏源电压（Vdss）:20V;连续漏极电流（Id）（25°C 时）:3.6A;栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA;漏源导通电阻:50mΩ @ 3A,4.5V;最大功率耗散（Ta=25°C）:1W;类型:N沟道; | 获取价格 | ||
| HSS2300A | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):26mΩ@4.5V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA; | 获取价格 | ||
| HSS2306A | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 漏源电压（Vdss）:30V;连续漏极电流（Id）（25°C 时）:4.6A;栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA;漏源导通电阻:33mΩ @ 4A,10V;最大功率耗散（Ta=25°C）:1W;类型:N沟道; | 获取价格 | ||
| LPM2302B3F | LowPower Semiconductor | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):3.5A;功率(Pd):1.25W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@4.5V,3.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA; | 获取价格 | ||
| LPSC2301 | Lonten Semiconductor Co.,Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):780mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@4.5V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA; | 获取价格 |
