找到“ua7908ckter”相关的规格书共5,775个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| IDP30E65D1 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;功率:143W;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):60A;正向压降(Vf):1.7V@30A;反向电流(Ir):40uA@650V;反向恢复时间(trr):95ns;工作温度:-40℃~+175℃@(Tvj); | 获取价格 | ||
| 74LV1T87GXH | Rubycon Corporation | 逻辑电路的归属系列:74LV;逻辑类型:异或非门;通道数:1;电源电压:1.6V~5.5V;静态电流(最大值):1uA;灌电流(IOL):8mA;拉电流(IOH):8mA;最大传播延迟:5.1ns@5V,30pF; | 获取价格 | ||
| 74LVC1G386GV,125 | Rubycon Corporation | 逻辑电路的归属系列:74LVC;逻辑类型:异或门;通道数:1;电源电压:1.65V~5.5V;静态电流(最大值):4uA;灌电流(IOL):32mA;拉电流(IOH):32mA;最大传播延迟:5.5ns@5V,50pF; | 获取价格 | ||
| 74AUP1T04GXH | Rubycon Corporation | 逻辑电路的归属系列:74AUP;输入类型:施密特触发器;通道数:1;电源电压:2.3V~3.6V;电源电流(最大值):1.2uA;灌电流(IOL):4mA;拉电流(IOH):4mA;最大传播延迟(tpd):6.9ns@3.3V,30pF; | 获取价格 | ||
| 74LVC2G38GXX | Rubycon Corporation | 逻辑电路的归属系列:74LVC;逻辑类型:与非门;通道数:2;电源电压:1.65V~5.5V;静态电流(最大值):4uA;灌电流(IOL):32mA;拉电流(IOH):32mA;最大传播延迟:4.2ns@5V,50pF; | 获取价格 | ||
| 74AHCT1G00GW,125 | Rubycon Corporation | 逻辑电路的归属系列:74AHCT;逻辑类型:与非门;通道数:1;电源电压:4.5V~5.5V;静态电流(最大值):1uA;灌电流(IOL):8mA;拉电流(IOH):8mA;最大传播延迟:7.9ns@5V,50pF; | 获取价格 | ||
| DM6W20A-13 | Diodes Incorporated | 极性:-;反向截止电压(Vrwm):20V;击穿电压(最小值):22.2V;击穿电压(最大值):24.5V;反向漏电流(Ir):10uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:142A;最大钳位电压:32.4V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:4.6kW; | 获取价格 | ||
| DM8W36AQ-13 | Diodes Incorporated | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):36V;击穿电压(最小值):40V;击穿电压(最大值):44.2V;反向漏电流(Ir):10uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:114A;最大钳位电压:58.1V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:6.6kW; | 获取价格 | ||
| DM6W30A-13 | Diodes Incorporated | 极性:-;反向截止电压(Vrwm):30V;击穿电压(最小值):33.3V;击穿电压(最大值):36.8V;反向漏电流(Ir):10uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:95A;最大钳位电压:48.4V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:4.6kW; | 获取价格 | ||
| FHD70-ME | GUANGDONG FENGHUA ADVANCED TECHNOLOGY HOLOING CO.,LTD. | 二极管配置:1对共阴极;功率:225mW;直流反向耐压(Vr):70V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向电流(Ir):2.5uA@70V;反向恢复时间(trr):6ns; | 获取价格 | ||
| FDT86244 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):2.8A;功率(Pd):2.2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):128mΩ@2.8A,10V;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):7nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):395pF@75V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDN537N | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):6.5A；6.5A;功率(Pd):1.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):23mΩ@6.5A,10V;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):8.4nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):465pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BDX53BG | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):8A;功率(Pd):65W;集电极截止电流(Icbo):200uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):4V@3A,12mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):750@3A,3V;特征频率(fT):-;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ES1JF | Jiangsu HD-Frequency Technology Co. , Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.65V@1A;反向电流(Ir):5uA@600V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ES2JT | JF | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):1.7V@2A;反向电流(Ir):5uA@600V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| F1GFS | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.3V@1A;反向电流(Ir):5uA@400V;反向恢复时间(trr):150ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| P1500SB | Brightking | 反向截止电压(Vdrm):140V;反向漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):180V;维持电流(Ih):150mA;通态电压(Vt):4V;通态电流(It):2.2A;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us):80A;断态电容(Co):60pF; | 获取价格 | ||
| P0300SB | SEMBO ELECTRONICS | 反向截止电压(Vdrm):25V;反向漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):40V;维持电流(Ih):50mA;通态电压(Vt):4V;通态电流(It):2.2A;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us):75A;断态电容(Co):140pF; | 获取价格 | ||
| P0080SC-MS | Mason semiconductor | 反向截止电压(Vdrm):6V;反向漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):25V;维持电流(Ih):40mA;通态电压(Vt):4V;通态电流(It):2.2A;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us):100A;断态电容(Co):105pF; | 获取价格 | ||
| P4200SB-MS | Mason semiconductor | 反向截止电压(Vdrm):400V;反向漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):520V;维持电流(Ih):100mA;通态电压(Vt):4V;通态电流(It):2.2A;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us):80A;断态电容(Co):36pF; | 获取价格 |
