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| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| D882H | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):70V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@1A,2V;特征频率(fT):50MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SB1440 (170-340) | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@1A,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):170@200mA,2V;特征频率(fT):80MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SD1898 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@500mA,20mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):180@500mA,3V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SD1898G-Q-AB3-R | Unisonic Technology Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):150mV@500mA,20mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,3V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| DTC124EE-MS | Mason semiconductor | 晶体管类型：1个NPN-预偏置 功率(Pd)：200mW 最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)：3V@20mA,0.3V 最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)：300mV@100uA,5V 输出电压(VO(on)@Io/Ii)：300mV@50mA,2.5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@5mA,10V | 获取价格 | ||
| NCE0202ZA | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):3W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):520mΩ@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):12nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):580pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):3pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SI2301S | MDD辰达半导体 | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：70mΩ@4.5V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：600mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：800pC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：330pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：45pF@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| NCE3010S | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：4.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：6.8nC@5V 输入电容(Ciss@Vds)：800pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：73pF@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| ASDM3050KQ-R | Ascend Frequency Devices | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):60W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V,25A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):23nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):160pF@15V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HYG092N10LS1C2 | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):62.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.8mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):25nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.348nF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):12.4pF@50V;工作温度:+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 7580D | FM | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):75V;连续漏极电流(Id):86A;功率(Pd):147W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):115nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):5.053nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):145pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| CS4N65A3HD1-G | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):14.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):544pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):8.5pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| GN10N65A4 | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):110W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):900mΩ@10V,3.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):21.3nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.42nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):7.4pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 3DD13005GRD | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 晶体管类型:NPN(集电极发射极结二极管);集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):4A;功率(Pd):50W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@2A,500mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):15@1A,5V;特征频率(fT):5MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| CS5N60FA9HD | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):30W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.8Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):14.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):544pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):8.5pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 3DD13005C7D | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 晶体管类型:1个NPN,1个PNP;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):4A;功率(Pd):50W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@2A,500mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):15@1A,5V;特征频率(fT):5MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ATM2302BNSA | Agertech | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):3A;功率(Pd):700mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):85mΩ@4.5V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):2.9nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):280pF@10V;反向传输电容(Crss@Vds):29pF@10V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 3DD13005ED-126S | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):4A;功率(Pd):40W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@2A,400mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@500mA,10V;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 3DD4242DM-126 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):20W;集电极截止电流(Icbo):5uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@500mA,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):22@100mA,10V;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HP120N04(BGG) | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):147W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5mΩ@10V,60A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.7V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):91nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):4.061nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):227pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 |
