找到“AD625”相关的规格书共3,223个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N5551L-B-T92-K | Unisonic Technology Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):50nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@50mA,5mA;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC516-D27Z | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Trans, Pnp, -30V, -1A, 0.625W, To-92; Transistor Polarity:pnp; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:-30V; Transition Frequency Ft:200Mhz; Power Dissipation Pd:625Mw; Dc Collector Current:-1A; Dc Current Gain Hfe:30000Hfe; Transistor Rohs Compliant: Yes | 获取价格 | ||
| A94 | HL | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@50mA,5mA;特征频率(fT):50MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2N5551A | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):90mV@50mA,5mA;特征频率(fT):110MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| KTC3202-Y-AT--P | KEC CORPORATION | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):100mV@100mA,10mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):70@100mA,1V;特征频率(fT):300MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC546 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):65V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@2mA,5V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PN2907ABU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):800mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):20nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.6V@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V;特征频率(fT):200MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2N4401 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@150mA,15mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,1V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2N3904BU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V;特征频率(fT):300MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2N4401TAR | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):750mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,1V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MPS751 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@1A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@2A,2V;特征频率(fT):75MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| S8550 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@50mA,1V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| S9013-TA | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):144@50mA,1V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC546-TA | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):65V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@2mA,5V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC337 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):800mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):700mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):250@100mA,1V;特征频率(fT):210MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 8050S | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@50mA,1V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HG4953M/TR | Guangdong Huaguan Semiconductor Co., Ltd. | 类型:2个P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):4.9A;功率(Pd):2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):53mΩ@10V,4.9A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):11.6nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):625pF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):60pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2N5551TF | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):50nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):80@10mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PN2907BU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):800mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):20uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.6V@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V;特征频率(fT):-;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PN2222ABU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):10nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V;特征频率(fT):300MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 |
