| MDD15N10D | MDD辰达半导体 | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):15A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@10V; | | | 获取价格 |
| DFR1J F1J | MDD辰达半导体 | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.3V@1A;反向恢复时间(trr):250ns; | | | 获取价格 |
| DSR0.3K S03K | MDD辰达半导体 | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):800V;平均整流电流(Io):300mA;正向压降(Vf):1.1V@300mA; | | | 获取价格 |
| 1N4148W T4 | MDD辰达半导体 | SWITCHING SOD-123, 100V | | | 获取价格 |
| ESD0301BL | MDD辰达半导体 | 夹子 1A（8/20µs） Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DFN1006 | | | 获取价格 |
| AO3402 | MDD辰达半导体 | | | | 获取价格 |
| BC848C | MDD辰达半导体 | 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 30 V 100 mA 100MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-23 | | | 获取价格 |
| MDD2310 | MDD辰达半导体 | MOSFETs SOT23-3 Vdss=60V Vgs=±20V Id=3A Pd=350mW | | | 获取价格 |
| KBJ1510 | MDD辰达半导体 | 桥式整流器/整流桥 VRM=600V，IO=15A，IFSM=240A，VF=1.0V，IR=10uA | | | 获取价格 |
| SK84B | MDD辰达半导体 | SK84B | | | 获取价格 |
| ST510C | MDD辰达半导体 | ST510C | | | 获取价格 |
| TT8MF | MDD辰达半导体 | TT8MF | | | 获取价格 |
| SI2306 | MDD辰达半导体 | SI2306 | | | 获取价格 |
| SM03 | MDD辰达半导体 | SM03 | | | 获取价格 |
| ST54BF | MDD辰达半导体 | ST54BF | | | 获取价格 |
| MDD10N65F | MDD辰达半导体 | VDSS（DS最小反向击穿电压）:650V，ID（DS最大平均电流）:10.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:0.81Ω@VGS=10V 应用：适配器，充电器、LED驱动、PFC电路
| | | 获取价格 |
| MDD7N65D | MDD辰达半导体 | VDSS（DS最小反向击穿电压）:650V，ID（DS最大平均电流）:7.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:1.2Ω@VGS=10V 应用：适配器，充电器、LED驱动、PFC电路
| | | 获取价格 |
| 2SC3356 | MDD辰达半导体 | NPN VCEO=12V IC=100mA hFE=50~250 | | | 获取价格 |
| SS14G-SMAG | MDD辰达半导体 | G带表框架工艺 优于C2480 SS14这个普通品 | | | 获取价格 |
| MBRX120 | MDD辰达半导体 | MBRX120 | | | 获取价格 |
