| BZT52C9V1-WE | MDD辰达半导体 | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):9.1V;稳压值(范围):8.5V~9.6V;精度:-;功率:500mW; | | | 获取价格 |
| MM1W91 | MDD辰达半导体 | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):91V;稳压值(范围):86V~96V;精度:±5%;功率:1W; | | | 获取价格 |
| 6A10-T/B | MDD辰达半导体 | General e Diode R6 1KV 6A | | | 获取价格 |
| BZT52C7V5S-WC | MDD辰达半导体 | 稳压二极管 Vz=7.5V 7V~7.9V Izt=5mA P=200mW SOD323 | | | 获取价格 |
| MDD3400 | MDD辰达半导体 | MOSFETs N-沟道 30V 5.8A 27mΩ@10V SOT23 | | | 获取价格 |
| SF58G | MDD辰达半导体 | 快/超快恢复二极管 600V 5A DO-27(DO-201AA) | | | 获取价格 |
| MBRF10200TCT | MDD辰达半导体 | 肖特基二极管 200V 10A 880mA@5A ITO-220AB | | | 获取价格 |
| SOD1H3 U3 | MDD辰达半导体 | | | | 获取价格 |
| SD05C | MDD辰达半导体 | Bi PD=350W VRWM=5V VBR=6V VC=18V IPP=17A IR=10uA CJ=200PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子
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| ESD5Z15V | MDD辰达半导体 | Uni PD=120W VRWM=15V VBR=16V VC=30V IPP=4A IR=0.5uA CJ=28PF
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| ES2BF-SMAF | MDD辰达半导体 | ES2BF-SMAF | | | 获取价格 |
| P6SMB6.8A | MDD辰达半导体 | P6SMB6.8A | | | 获取价格 |
| RS1MF | MDD辰达半导体 | 快/超快恢复二极管 VR=1000V IF=1A VF=1.3V IR=5uA trr=500nS | | | 获取价格 |
| SK84C | MDD辰达半导体 | SK84C | | | 获取价格 |
| SS34AHE | MDD辰达半导体 | SS34AHE | | | 获取价格 |
| MDD7N65F | MDD辰达半导体 | VDSS（DS最小反向击穿电压）:650V，ID（DS最大平均电流）:7.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:1.2Ω@VGS=10V 应用：适配器，充电器、LED驱动、PFC电路
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| MBR2060CT | MDD辰达半导体 | MBR2060CT | | | 获取价格 |
| ST56B | MDD辰达半导体 | ST56B | | | 获取价格 |
| SS24F | MDD辰达半导体 | SS24F | | | 获取价格 |
| SMBJ15A-T3 | MDD辰达半导体 | ESD抑制器/TVS二极管 VRWM=15V VBR(Min)=16.7V VC=24.4V@24.6A SMB | | | 获取价格 |
