| 1N5824 | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | 肖特基二极管 DO201AD IF=5A VRRM=30V VF=550mV | | | 获取价格 |
| MBRS340T3G | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | 肖特基二极管 7.11 x 6.22mm SMT 3A 500mV 80A | | | 获取价格 |
| 1N5408G | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | 正向压降(Vf)：1.1V@3A 平均整流电流(Io)：3A | | | 获取价格 |
| S1MD3 | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | S1MD3 | | | 获取价格 |
| SMBJ15CA | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | SMBJ15CA | | | 获取价格 |
| DSR1M | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | SOD123 | | | 获取价格 |
| RB160SS-40 | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | | | | 获取价格 |
| 79L05 | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | 输出类型:-; | | | 获取价格 |
| BTB16Q-600BW | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | BTB16Q-600BW | | | 获取价格 |
| SF38G | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):-;平均整流电流(Io):-;正向压降(Vf):-;反向电流(Ir):-;反向恢复时间(trr):-; | | | 获取价格 |
| SMBJ6.8CA | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | | | | 获取价格 |
| MCR100-8-23L | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | | | | 获取价格 |
| MMBTA42 | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):300mA;功率(Pd):350mW;集电极截止电流(Icbo):250nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@20mA,2mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,10V;特征频率(fT):50MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| MCR100-8W | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | | | | 获取价格 |
| BT131G | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | | | | 获取价格 |
| BT169D | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | | | | 获取价格 |
| BTA16-800BW | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | 双向可控硅 | | | 获取价格 |
| MMBT3906 | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):200mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V; | | | 获取价格 |
| ESD5311N | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | | | | 获取价格 |
| B560C | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | 肖特基二极管 电压:60V 电流:5A SMC(DO-214AB) | | | 获取价格 |
