找到“ID8155B”相关的规格书共8,200个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| PJM10H10NSC | Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd. | MOSFETS SOT23-3 N-Channel VDS=100V VGS=±20V Id=10A RDS(on)=92mΩ | 获取价格 | ||
| PJM60N40TE | Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd. | MOSFETS TO252 N-Channel VDS=40V VGS=±20V Id=60A RDS(on)=7.5mΩ | 获取价格 | ||
| PHD71NQ03LT,118 | Nexperia | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=75A RDS(ON)=10mΩ@10V TO252 | 获取价格 | ||
| PHD101NQ03LT,118 | Nexperia | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=75A RDS(ON)=5.5mΩ@10V TO252 | 获取价格 | ||
| 2N7002AQ-7 | Diodes Incorporated | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=180mA RDS(ON)=6Ω@5V SOT23-3 | 获取价格 | ||
| STB21N90K5 | ST | MOS管 N-Channel VDS=900V VGS=±30V ID=18.5A RDS(ON)=299mΩ@10V TO263 | 获取价格 | ||
| RSM002P03T2L | Rohm Semiconductor | MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=200mA Pd=200mW SOT723 | 获取价格 | ||
| 2N7002H-7 | Diodes Incorporated | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=170mA RDS(ON)=7.5Ω@5V SOT23-3 | 获取价格 | ||
| SI2371EDS-T1-GE3 | Vishay Intertechnology, Inc. | MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=3.7A RDS(ON)=45mΩ@10V SOT23-3 | 获取价格 | ||
| SQ4946AEY-T1-EG3 | Vishay Intertechnology, Inc. | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=7A RDS(ON)=40mΩ@10V SOIC8_150MIL | 获取价格 | ||
| IRLR7843TRPBF | VBsemi Electronics Co. Ltd | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=35.8A RDS(ON)=3mΩ@4.5V TO252AA | 获取价格 | ||
| 2N7002PW,115 | NXP Semiconductors | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：310mA 功率(Pd)：260mW | 获取价格 | ||
| 2N7002CK,215 | NXP Semiconductors | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW | 获取价格 | ||
| ZXMN3B01FTA | NIHON INTER ELECTRONICS CORP | 30V N沟道增强型MOSFET 2.5V栅极驱动 V(BR)DSS=30V : RDS(on)=0.24Ω; ID=2A | 获取价格 | ||
| NTF2955T1G | ON Semiconductor | MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=1.7A RDS(ON)=185mΩ@10V SOT223 | 获取价格 | ||
| IRLML2502 | Shenzhen UMW Semiconductor Co., Ltd. | N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：1.25W SOT-23 | 获取价格 | ||
| 15N10 | Shenzhen UMW Semiconductor Co., Ltd. | MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=15A RDS(ON)=110mΩ@10V TO252 | 获取价格 | ||
| WPM2015-MS | Mason semiconductor | P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：400mW SOT23-3L | 获取价格 | ||
| DMG1012T | Tech Public Electronics Co.,Ltd. | MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=800mA RDS(ON)=180mΩ@4.5V SOT523 | 获取价格 | ||
| LNTK3043NT5G | Leshan Radio Co., Ltd. | MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±10V ID=255mA RDS(ON)=1.6Ω@4.5V SOT723 | 获取价格 |
