找到“ID8155B”相关的规格书共8,200个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| AP100N03AD | Taiwan APM Technology Limited By Share Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):46W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.8mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):33.7nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.614nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):215pF@15V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SVF4N65RDTR | Silan | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):77W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.3Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):13nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):440pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):4pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| RJP020N06T100-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):7.1A;功率(Pd):6.3W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):76mΩ@4.5V,6.3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):10nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):810pF@10V;反向传输电容(Crss@Vds):100pF@10V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NCE0202ZA | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):3W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):520mΩ@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):12nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):580pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):3pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SI2301S | MDD辰达半导体 | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：70mΩ@4.5V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：600mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：800pC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：330pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：45pF@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| NCE3010S | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：4.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：6.8nC@5V 输入电容(Ciss@Vds)：800pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：73pF@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| ASDM3050KQ-R | Ascend Frequency Devices | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):60W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V,25A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):23nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):160pF@15V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HYG092N10LS1C2 | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):62.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.8mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):25nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.348nF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):12.4pF@50V;工作温度:+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 7580D | FM | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):75V;连续漏极电流(Id):86A;功率(Pd):147W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):115nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):5.053nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):145pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| CS4N65A3HD1-G | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):14.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):544pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):8.5pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| GN10N65A4 | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):110W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):900mΩ@10V,3.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):21.3nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.42nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):7.4pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| CS5N60FA9HD | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):30W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.8Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):14.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):544pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):8.5pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ATM2302BNSA | Agertech | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):3A;功率(Pd):700mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):85mΩ@4.5V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):2.9nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):280pF@10V;反向传输电容(Crss@Vds):29pF@10V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| G03N10 | Goford Semiconductor Co.,Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):3A;功率(Pd):500mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):140mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250μA;栅极电荷(Qg@Vgs):15.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):690pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):90pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HF5N65(BEB) | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):33W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2Ω@10V,2.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA;栅极电荷(Qg@Vgs):15nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):600pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):11pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HP120N04(BGG) | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):147W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5mΩ@10V,60A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.7V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):91nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):4.061nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):227pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BUK758R3-40E,127 | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):75A;功率(Pd):96W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.8mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@1mA;栅极电荷(Qg@Vgs):24nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1300pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):144pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BSP250,135 | Rubycon Corporation | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):3A;功率(Pd):5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):250mΩ@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.8V@1mA;栅极电荷(Qg@Vgs):10nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):250pF@20V;反向传输电容(Crss@Vds):50pF@20V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BUK9615-100A,118 | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):75A;功率(Pd):230W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11.5mΩ@10V,25A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@1mA;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):6.5nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):325pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BUK9M15-40HX | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):30A;功率(Pd):44W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12.1mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.85V@1mA;栅极电荷(Qg@Vgs):11.6nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):733pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):28pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 |
