找到“ID8156B”相关的规格书共8,216个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| FDC6420C | ON Semiconductor | MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID (N-Channel)=3A ID (P-Channel)=2.2A TSOT23-6 | 获取价格 | ||
| DMC2400UV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N沟道，P沟道SOT563 N沟道：VDS=20V VGS=±12V ID=1.03A P沟道：VDC=20V V GS=？V ID=0.7A | 获取价格 | ||
| DMC21D1UDA-7B | Diodes Incorporated | 互补对增强型MOSFET X2DFN0806-6 N沟道：VDS=20V VGS=±8V ID=0.455A P沟道：VDS=20V VGS＝±8V ID=0.328A | 获取价格 | ||
| SC8205A | FM | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25mΩ@10V,5A | 获取价格 | ||
| TMC1340-SO | Trinamic Motion Control GmbH | 2N沟道+2P沟道 VDS1=30V ID1=5.5A VDS2=-30V ID2=-4.1A VGS=±20V P=1.38W 4通路 | 获取价格 | ||
| FKN0107 | FETek Technology Corporation | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):900mA;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):520mΩ@10V,0.8A; | 获取价格 | ||
| FIR4N65LG | Shenzhen First Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8Ω@10V,2A; | 获取价格 | ||
| HY3010B | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):192W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10mΩ@10V,50A; | 获取价格 | ||
| CEN2321A | CET-MOS Technology Corp. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):3.7A;功率(Pd):1.25W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@4.5V,2.4A; | 获取价格 | ||
| CES2362 | CET-MOS Technology Corp. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):3A;功率(Pd):1.25W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@10V,3A; | 获取价格 | ||
| AO4468-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):12A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,12A; | 获取价格 | ||
| AP55T10GH-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):18.5mΩ@10V,60A; | 获取价格 | ||
| BSC500N20NS3 G | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):24A;功率(Pd):96W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@10V,22A; | 获取价格 | ||
| BUK9Y8R7-60E,115 | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):86A;功率(Pd):147W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5mΩ@20A,10V; | 获取价格 | ||
| BUK9M9R1-40EX | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):64A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.3mΩ@20A,10V; | 获取价格 | ||
| BUK7Y9R9-80EX | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):89A;功率(Pd):195W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):98mΩ@5A,10V; | 获取价格 | ||
| BUK7M9R9-60EX | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):79W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.9mΩ@15A,10V; | 获取价格 | ||
| BUK7Y19-100EX | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):56A;功率(Pd):169W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12.1mΩ@10V,15A; | 获取价格 | ||
| BUK7660-100A,118 | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):26A;功率(Pd):106W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@15A,10V; | 获取价格 | ||
| BUK765R0-100E,118 | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):357W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5mΩ@10V,25A; | 获取价格 |
