找到“ID8156B”相关的规格书共8,216个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| BSF134N10NJ3 G | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):9A；40A;功率(Pd):2.2W；43W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):13.4mΩ@30A,10V; | 获取价格 | ||
| FDD8647L | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):14A；42A;功率(Pd):3.1W；43W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@10V,13A; | 获取价格 | ||
| FDD6670A | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):15A；66A;功率(Pd):3.2W；63W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V,15A; | 获取价格 | ||
| FDMS7650 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):36A；100A;功率(Pd):2.5W；104W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):0.99mΩ@10V,36A; | 获取价格 | ||
| IRF540NSTRPBF-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):45A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,45A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| IRF9Z24NS-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):35A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):48mΩ@10V,35A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| IPB120N06NG-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,60A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| IRLR8726T | Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):54W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;输入电容(Ciss@Vds):1.16nF; | 获取价格 | ||
| ESD4186 | ElecSuper | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：35A 功率(Pd)：50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：13mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA N沟道,40V,35A,13mΩ@10V | 获取价格 | ||
| AOD478-HXY | Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):55W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):70mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;输入电容(Ciss@Vds):1.53nF@25V; | 获取价格 | ||
| AOD403-HXY | Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):70A;功率(Pd):90W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.2mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;输入电容(Ciss@Vds):3.45nF@25V; | 获取价格 | ||
| STB30NF10T4-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):45A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,45A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| PHB32N06-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):23mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| AP2309AGN-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):5.6A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):46mΩ@10V,5.6A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| CES2314-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):6.5A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,6.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| RSQ045N03TR-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,6A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| STP30NF20-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):40A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| APM4015PUC-TRL-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| IRFR9120NTRPBF-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):8.8A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):250mΩ@10V,8.8A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| VBE1202 | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2mΩ@10V,120A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 |
