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型号厂商描述数据手册替代料参考价格
2N7002AQ-7Diodes IncorporatedMOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=180mA RDS(ON)=6Ω@5V SOT23-3获取价格
STB21N90K5STMOS管 N-Channel VDS=900V VGS=±30V ID=18.5A RDS(ON)=299mΩ@10V TO263获取价格
RSM002P03T2LRohm SemiconductorMOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=200mA Pd=200mW SOT723获取价格
2N7002H-7Diodes IncorporatedMOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=170mA RDS(ON)=7.5Ω@5V SOT23-3获取价格
SI2371EDS-T1-GE3Vishay Intertechnology, Inc.MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=3.7A RDS(ON)=45mΩ@10V SOT23-3获取价格
SQ4946AEY-T1-EG3Vishay Intertechnology, Inc.MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=7A RDS(ON)=40mΩ@10V SOIC8_150MIL获取价格
IRLR7843TRPBFVBsemi Electronics Co. LtdMOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=35.8A RDS(ON)=3mΩ@4.5V TO252AA获取价格
2N7002PW,115NXP Semiconductors类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):310mA 功率(Pd):260mW获取价格
2N7002CK,215NXP Semiconductors类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):300mA 功率(Pd):350mW获取价格
ZXMN3B01FTANIHON INTER ELECTRONICS CORP30V N沟道增强型MOSFET 2.5V栅极驱动 V(BR)DSS=30V : RDS(on)=0.24Ω; ID=2A获取价格
NTF2955T1GON SemiconductorMOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=1.7A RDS(ON)=185mΩ@10V SOT223获取价格
IRLML2502Shenzhen UMW Semiconductor Co., Ltd.N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4.2A 功率(Pd):1.25W SOT-23获取价格
15N10Shenzhen UMW Semiconductor Co., Ltd.MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=15A RDS(ON)=110mΩ@10V TO252获取价格
WPM2015-MSMason semiconductorP沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):3A 功率(Pd):400mW SOT23-3L获取价格
DMG1012TTech Public Electronics Co.,Ltd.MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=800mA RDS(ON)=180mΩ@4.5V SOT523获取价格
LNTK3043NT5GLeshan Radio Co., Ltd.MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±10V ID=255mA RDS(ON)=1.6Ω@4.5V SOT723获取价格
LP3415ELT1GLeshan Radio Co., Ltd.MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4A RDS(ON)=85mΩ@1.8V SOT23获取价格
TDM3424TECHCODEMOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=8A RDS(ON)=32mΩ@4.5V SOT89-3获取价格
UTM6016GVBsemi Electronics Co. LtdMOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=8A RDS(ON)=15mΩ@4.5V SOIC8_150MIL获取价格
VBL165R12VBsemi Electronics Co. LtdMOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±30V ID=12A RDS(ON)=650mΩ@10V TO263获取价格