找到“ID8156HB”相关的规格书共12,092个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| IPA50R190CE | Infineon Technologies | MOSFETs N-Channel VDS=500V ID=18.5A TO220FP | 获取价格 | ||
| BUK758R3-40E,127 | Nexperia | MOS管 N-Channel Id=75A VDS=40V TO-220AB | 获取价格 | ||
| IRFB7734PBF | Infineon Technologies | MOSFETs N-Channel VDS=75V ID=183A VGS=±20V TO220AB | 获取价格 | ||
| BUK753R1-40E,127 | Nexperia | MOS管 N-Channel Id=100A VDS=40V TO-220AB | 获取价格 | ||
| BUK7Y12-100EX | Nexperia | MOS管 N-channel Id=85A VDS=100V SOT669 | 获取价格 | ||
| BUK7611-55B,118 | Nexperia | MOS管 N-Channel Id=75A VDS=55V SOT404 | 获取价格 | ||
| BUK78150-55A/CUF | Nexperia | MOS管 N-Channel Id=5.5A VDS=55V SOT223 | 获取价格 | ||
| BUK7E8R3-40E,127 | Nexperia | MOS管 N-Channel Id=75A VDS=40V SOT226 | 获取价格 | ||
| SI2337DS-T1-GE3 | Vishay Intertechnology, Inc. | MOSFETs P-channel VDS=80V ID=2.2A SOT23 | 获取价格 | ||
| DMN3023L-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Channel VDS=30V ID=6.2A VGS=±20V SOT23 | 获取价格 | ||
| IRFP4468PBF | Infineon Technologies | MOS管 N-channel Id=0.29A VDS=100V TO-247AC | 获取价格 | ||
| 2SK3065T100 | Rohm Semiconductor | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：500mW | 获取价格 | ||
| LP3218DT1G | Leshan Radio Co., Ltd. | MOS管 P-channel Id=8.2A VDS=12V DFN6_2X2MM | 获取价格 | ||
| L2N7002SDW1T1G | Leshan Radio Co., Ltd. | 2个N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：320mA 功率(Pd)：300mW | 获取价格 | ||
| HSM4435 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：9.5A 功率(Pd)：3.1W | 获取价格 | ||
| WPT2N32-6/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA 功率(Pd)：1.1W | 获取价格 | ||
| VS3622DE | Vergiga Semiconductor | 2个N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：35A 功率(Pd)：20W | 获取价格 | ||
| MEM2313SG | Najing Micro One Electronics Inc. | MOS管 P-channel Id=6A VDS=30V SOP8_150MIL | 获取价格 | ||
| 30N03A | Shenzhen UMW Semiconductor Co., Ltd. | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：90A 功率105W | 获取价格 | ||
| AP3P3R0MT | APEC | P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：5W | 获取价格 |
