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| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| KTA1666-Y | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@1A,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,2V;特征频率(fT):120MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SB1132-Q | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):32V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):500nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@100mA,3V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| KTA1663 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):2V@1.5A,30mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@500mA,2V;特征频率(fT):120MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC869-16 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@1A,1A;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@500mA,1V;特征频率(fT):40MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCX53 AH HD | Guangdong Hottech Co. Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@150mA,2V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SC4672 DKQ 120-270 HL | Guangdong Hottech Co. Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):350mV@1A,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,2V;特征频率(fT):210MHz;工作温度:-; | 获取价格 | ||
| 2SD2153 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):500nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@1A,20mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):820@500mA,6V;特征频率(fT):110MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| S8550 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@50mA,1V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| S9013-TA | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):144@50mA,1V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SD1616A | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):120V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):750mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@1A,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,2V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC546-TA | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):65V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@2mA,5V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC337 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):800mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):700mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):250@100mA,1V;特征频率(fT):210MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 8550SS-TA | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@800mA,80mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 8050SS | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@800mA,80mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):85@100mA,1V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 8050S | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@50mA,1V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC817 | Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：300mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：700mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@100mA,1V 特征频率(fT)：100MHz 工作温度：+150℃@(Tj) NPN,Vceo=45V,Ic=0.5A,hfe=100~250 | 获取价格 | ||
| BC846B | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：65V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@100mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@2mA,5V 特征频率(fT)：100MHz 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| BC807-40 | Guangdong Hottech Co. Ltd. | 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：300mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：700mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：250@100mA,1V 特征频率(fT)：100MHz 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| MMBTA92,215 | Nexperia | 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：300V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：250mW 集电极截止电流(Icbo)：250nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@20mA,2mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：25@1mA,10V 特征频率(fT)：50MHz 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| BC858BW | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):650mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):220@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 |
