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AR35-S13TBroadcom LimitedSS CW ROP7.8MMTHRU ID 8MM获取价格
34233MENDACONN CVR 0.413ID 0.483"OD 1000PC获取价格
842 IDKurtz ErsaERSA - 842 ID - TIP, BENT, 0.4MM获取价格
1427-XR--IDMinnesota Mining and Manufacturing3M BALL MARKER 1427-XR/ID, 5 FT获取价格
HSL0004HUASHUO SEMICONDUCTOR类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):3A;功率(Pd):1.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):112mΩ@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;获取价格
HSL6008HUASHUO SEMICONDUCTOR类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):2.8A;功率(Pd):1.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@10V,2.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;获取价格
ISP25DP06LMSInfineon Technologies类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;获取价格
IPB65R095C7Infineon Technologies类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;获取价格
BSP89,115Rubycon Corporation类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;获取价格
NCEP85T25DWUXI NCE POWER CO., Ltd.类型:N沟道;漏源电压(Vdss):85V;连续漏极电流(Id):250A;功率(Pd):300W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.6mΩ@10V,100A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA;获取价格
IPN70R1K4P7SInfineon Technologies类型:N沟道;漏源电压(Vdss):700V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):6.2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.4Ω@10V,700mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@40uA;获取价格
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NCEP12T12DWUXI NCE POWER CO., Ltd.类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;获取价格
IPB65R190C7Infineon Technologies类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;获取价格
IPB65R190CFDAInfineon Technologies类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;获取价格
AOB254L-VBVBsemi Electronics Co. Ltd类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):45A;功率(Pd):3.7W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V,15A;阈值电压(Vgs(th)@Id):6V@250uA;获取价格
AOD536ElecSuper类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):46A;功率(Pd):37.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,20.0A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;获取价格
AP18N20GHAPEC类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;获取价格
IPB120N06S4-H1Infineon Technologies类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;获取价格
HB3510PHL类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):83W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):38mΩ@10V,15A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格