| 1 | KSA1381ESTU | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):7W; | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 2 | KND3203B | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):101W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,24A... | 下载 | KIA |
| 3 | KTC4378 | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW; | 下载 | Rubycon Corporation |
| 4 | KIA7042AF-RTF--P | 双线性集成电路，电压监控，检测电压为4.2V | 下载 | KEC CORPORATION |
| 5 | KCGJ2502G101MF | 直插铝电解电容 插件,D18xL25mm 100µF ±20% 400V | 下载 | Ymin |
| 6 | KRA101-AT--P | 晶体管类型:1个PNP-预偏置;功率(Pd):625mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V; | 下载 | KEC CORPORATION |
| 7 | KSP92BU | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):625mW; | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 8 | KTC1027-Y-AT--P | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):120V;集电极电流(Ic):800mA;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和... | 下载 | KEC CORPORATION |
| 9 | KSP42BU | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 10 | KL817S1-C-TU-F | 晶体管光耦（DC)，电流传输比200~400%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率20... | 下载 | Kinglight |
| 11 | KL817-A-F | 晶体管光耦（DC)，电流传输比80~160%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200... | 下载 | Kinglight |
| 12 | KL817M-B-F | 晶体管光耦（DC)，电流传输比130~260%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率20... | 下载 | Kinglight |
| 13 | KL817-C-F | 晶体管光耦（DC)，电流传输比200~400%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率20... | 下载 | Kinglight |
| 14 | KL817S1-C-TU | 晶体管光耦（DC)，电流传输比200~400%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率20... | 下载 | Kinglight |
| 15 | KL817S1-B-TU | 晶体管光耦（DC)，电流传输比130~260%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率20... | 下载 | Kinglight |
| 16 | KL816M-C | 晶体管光耦（DC)，电流传输比200~400%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率20... | 下载 | Kinglight |
| 17 | KL816-D | 晶体管光耦（DC)，电流传输比300~600%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率20... | 下载 | Kinglight |
| 18 | KL816S1-D-TU | 晶体管光耦（DC)，电流传输比300~600%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率20... | 下载 | Kinglight |
| 19 | KL816M-D | 晶体管光耦（DC)，电流传输比300~600%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率20... | 下载 | Kinglight |
| 20 | KL354N-A-TA | 晶体管光耦（AC)，电流传输比50~150%，正/反向电压1.2V,正/反向电流20uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压3750V，总消耗功... | 下载 | Kinglight |
工商网监