找到“OXCF950”相关的规格书共1,359个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| 2SC6017-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):10A;功率(Pd):950mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1A,2V; | 获取价格 | ||
| ES1002FL_R1_00001 | PANJIT SEMI CONDUCTOR | 二极管配置：独立式 正向压降(Vf)：950mV 1A 直流反向耐压(Vr)：200V 工作温度(最大值)：+150℃ (Tj) 平均整流电流(Io)：1A 反向电流(Ir)：500nA 200V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度(最小值)：-55℃ (Tj) | 获取价格 | ||
| SF54G | MDD辰达半导体 | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):950mV@5A;反向电流(Ir):10uA@200V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SF34G | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):950mV@3A;反向电流(Ir):1uA@200V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ES1D | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：950mV@1A 反向电流(Ir)：5μA@200V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| SF34G | DIYI ELECTRONIC | Diode, Fast, 3A, 200V; Repetitive Peak Reverse Voltage:200V; Average Forward Current:3A; Diode Configuration:single; Forward Voltage Max:950Mv; Reverse Recovery Time:35Ns; Forward Surge Current:125A; Operating Temperature Max:150°C Rohs Compliant: Yes | 获取价格 | ||
| SF34 | Goodwork Semiconductor Co.,Ltd. | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):950mV@3A;反向电流(Ir):5uA@200V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SF34 | Chongqing Pingwei Technology (Group) Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):950mV@3A;反向电流(Ir):5uA@200V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SAS14-M | Anbon Semiconductor Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):950mV@1A;反向电流(Ir):5uA@200V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SODSF14-SH | Leshan Radio Co., Ltd. | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：950mV@1A 反向电流(Ir)：5uA@200V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| 78FR27K-RC | Bourns Inc. | Choke, 270Nh, 950Ma, 10%, 360Mhz; Product Range:78F Series; Inductance:270Nh; Dc Current Rating:1.11A; Dc Resistance Max:0.085Ohm; Inductance Tolerance:± 10%; Self Resonant Frequency:360Mhz; Case Dimensions:2.8Mm X 7.12Mm Rohs Compliant: Yes | 获取价格 | ||
| SF14G | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):950mV@1A;反向电流(Ir):5uA@200V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SF24 | FORMOSA MICROSEMI CO. LTD | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):950mV@2A;反向电流(Ir):5uA@200V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-65℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| TRC040-13 | Jingwo Electronic Technology Co., Ltd | 最大电压:72V;最大电流:40A;保持电流:400mA;跳闸电流:800mA;消耗功率:550mW;初始态阻值(最小值):480mΩ;跳断后阻值(最大值):950mΩ;最大动作时间:3.8s;工作温度:-40℃~+85℃; | 获取价格 | ||
| ES3D | HANGZHOU DONGWO ELECTRONIC TECHNOLOGY CO. LTD. | Fast Diode, 3A, 200V, Do-214Ab; Repetitive Peak Reverse Voltage:200V; Average Forward Current:3A; Diode Configuration:single; Forward Voltage Max:950Mv; Reverse Recovery Time:20Ns; Forward Surge Current:100A; No. Of Pins:2 Pin Rohs Compliant: Yes | 获取价格 | ||
| ES1DB | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):950mV@1A;反向电流(Ir):5uA@200V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| TPNTK3134NT1G | Tech Public Electronics Co.,Ltd. | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：950mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：200mΩ@4.5V,550mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：650mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：1.15nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：50pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：8pF@10V 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| 2SC6017-TL-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):10A;功率(Pd):950mW;集电极截止电流(Icbo):10μA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):180mV@5A,250mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1A,2V;特征频率(fT):200MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ASDM20N12ZB-R | Ascend Frequency Devices | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):12A;功率(Pd):1.14W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11.5mΩ@4.5V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):950mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):1.035nF@20V;反向传输电容(Crss@Vds):150pF@20V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 |
