找到“TH1386”相关的规格书共6,488个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| SE4060GB | SINO-IC | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):45V;连续漏极电流(Id):56A;功率(Pd):62.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.5mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250uA; | 获取价格 | ||
| JSM3401 | JSMICRO SEMICONDUCTOR | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| IRLML2502 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):3.6A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@4.5V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@250uA; | 获取价格 | ||
| HSS2301C | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):2.9A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@4.5V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA; | 获取价格 | ||
| FDN335N | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):1.7A;功率(Pd):500mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):70mΩ@4.5V,1.7A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| NTR5105PT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):196mA;功率(Pd):347mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,100mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| SK2307A | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):16V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):90mΩ@4.5V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| NTGS5120PT1G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):1.8A;功率(Pd):600mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):111mΩ@10V,2.9A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| AS8205M | Anbon Semiconductor Co., Ltd. | 类型:2个N沟道(共漏);漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):1.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):23mΩ@4.5V,4.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@250uA; | 获取价格 | ||
| FDC855N | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):6.1A;功率(Pd):1.6W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):27mΩ@10V,6.1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| KO6401-HF | GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):47mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.3V@250uA; | 获取价格 | ||
| TF70N03 | Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd. | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| HD30N06(AEE) | HL | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| IPN80R1K2P7 | Infineon Technologies | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| PMT200EPEX | Rubycon Corporation | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| KDT3055L | GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):3W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@10V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA; | 获取价格 | ||
| LSH65R380GT | Lonten Semiconductor Co.,Ltd | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| SVF2N60RMJ | Silan | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| JCS6N70VC-IPAK | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):700V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):120W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.6Ω@10V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| VBFB1203M | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):8A;功率(Pd):96W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):270mΩ@10V,8A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 |
