找到“TL088ID”相关的规格书共11,905个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| ASDM60P12KQ-R | Ascend Frequency Devices | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):12A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):62mΩ@10V,14A; | 获取价格 | ||
| AP85N04K | Shenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):70A;功率(Pd):58W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5mΩ@10V,30A; | 获取价格 | ||
| AP40P04D | Taiwan APM Technology Limited By Share Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):40A;功率(Pd):25W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):15mΩ@10V,30A; | 获取价格 | ||
| SUD50P08-25L-E3-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):-100V;连续漏极电流(Id):-8.8A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):250mΩ@-10V,-8.8A; | 获取价格 | ||
| MS3N100HGD0 | MASPOWER | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):1kV;连续漏极电流(Id):3A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.2Ω@10V,1A; | 获取价格 | ||
| FDD86102 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):8A；36A;功率(Pd):3.1W；62W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):24mΩ@10V,8A; | 获取价格 | ||
| FQD20N06TM | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):16.8A;功率(Pd):2.5W；38W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):63mΩ@10V,8.4A; | 获取价格 | ||
| FDD8451 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):9A；28A;功率(Pd):30W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):24mΩ@10V,9A; | 获取价格 | ||
| FQD2N100TM | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):1kV;连续漏极电流(Id):1.6A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9Ω@10V,800mA; | 获取价格 | ||
| FDD8796 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):25V;连续漏极电流(Id):35A;功率(Pd):88W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.7mΩ@10V,35A; | 获取价格 | ||
| AP30H150KA | Shenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):150A;功率(Pd):110W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3mΩ@10V,30A; | 获取价格 | ||
| CMD50N10 | Guangdong Field Effect Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):100W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):17mΩ; | 获取价格 | ||
| KY1012 | Shenzhen Hanjingyuan Electronics Co., Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):500mA;功率(Pd):150mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):410mΩ@4.5V,0.6A; | 获取价格 | ||
| AP90N03GD | Shenzhen.Quan Li Semiconductor Co., Ltd. | 类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):90W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.2mΩ@10V,30A; | 获取价格 | ||
| PP-015 | CUI Devices Inc. | Power Barrel Connector Plug 1.00mm ID (0.039"), 3.30mm ID (0.130"), 5.500mm OD (0.217") EIAJ-4 Free Hanging (In-Line) | 获取价格 | ||
| AO4616 | Alpha & Omega Semiconductor（AOS） | MOSFETs N-Channel, P-Channel VDS1=30V ID=8A VDS2=30V ID2=7A PD=2W SOIC8_150MIL | 获取价格 | ||
| PMCXB900UELZ | Nexperia | MOSFETs N-channel,P-channel Id1=0.6A VDS1=20V ID2=0.5A VDS2=20V DFN1010B-6 | 获取价格 | ||
| DMHC4035LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs VDS1=40V ID1=4.5A VDS2=40V ID2=3.7A SOIC8_150MIL | 获取价格 | ||
| 2N7002T | Tech Public Electronics Co.,Ltd. | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.8Ω@10V,300mA | 获取价格 | ||
| TMC1620-TO | Trinamic Motion Control GmbH | N沟道+P沟道 VDS1=60V ID1=6.6A VDS2=-60V ID2=-4.7A VGS=±20V P=3.13W 2通路 | 获取价格 |
