找到“UGN3140UA”相关的规格书共5,828个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| PMGD780SN,115 | Nexperia | 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：490mA 功率(Pd)：410mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：920mΩ@10V,300mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA | 获取价格 | ||
| PMGD290XN,115 | Nexperia | 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：860mA 功率(Pd)：410mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：350mΩ@4.5V,200mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA | 获取价格 | ||
| MMSZ5V1T1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：5.1V 稳压值(范围)：4.85V~5.36V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：2uA@2V 阻抗(Zzt)：60Ω | 获取价格 | ||
| MM3Z2V7T1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：2.7V 稳压值(范围)：2.5V~2.9V 功率：300mW 反向电流(Ir)：20uA@1V 阻抗(Zzt)：100Ω | 获取价格 | ||
| MMSZ3V9T1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：3.9V 稳压值(范围)：3.71V~4.1V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：3uA@1V 阻抗(Zzt)：90Ω | 获取价格 | ||
| LBAS21CLT1G | Leshan Radio Co., Ltd. | 高压开关二极管 250V -55℃~+150℃@(Tj) 300mW Dual Common Cathode 1.25V 50ns 0.1uA 250mA SOT-23 | 获取价格 | ||
| SD36C | MDD辰达半导体 | Uni PD=350W VRWM=36V VBR=40V VC=75V IPP=5A IR=1uA CJ=35PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 | 获取价格 | ||
| 2SA1036K | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 通用三极管 1uA 40V 225mW 20@500mA,2V 500mA 200MHz 0.75V@500mA,50mA PNP -55℃~+105℃@(Ta) SOT-23 | 获取价格 | ||
| 1SMA4744A | Jingdao | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：15V 稳压值(范围)：13.8V~15.8V 功率：1W 反向电流(Ir)：5uA@11V 阻抗(Zzt)：14Ω 15V 1W | 获取价格 | ||
| BZT52C47 | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：47V 稳压值(范围)：44V~50V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：2uA@36V 阻抗(Zzt)：150Ω | 获取价格 | ||
| ESD0504TL | MDD辰达半导体 | Uni PD=60W VRWM=5V VBR=6V VC=12V IPP=1A IR=1uA CJ=0.6PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 | 获取价格 | ||
| ATK-LORA-02 | Guangzhou Xingyi Electronic Technology Co., Ltd | 远距离无线串口通信模块产品，工作电压∶DC3.3~DC5V， 工作电流∶2.3uA~118mA，串口速率∶1200~115200bps | 获取价格 | ||
| K210 | SHENZHEN GOODWORK ELECTRONIC CO.,LTD | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：850mV@2A 反向电流(Ir)：200uA@100V | 获取价格 | ||
| MMBZ12VAL | MDD辰达半导体 | Bi PD=40W VRWM=8.5V VBR=12V VC=17V IPP=2.35A IR=0.2uA CJ=-PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 | 获取价格 | ||
| 1N4148W | Luguang Electronics Technology Co., Ltd. | 功率：350mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：2.5uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| KBP206 | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 直流反向耐压(Vr)：600V 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：1.05V@1A 反向电流(Ir)：10uA@600V 正向浪涌电流(Ifsm)：45A | 获取价格 | ||
| WPM2087-3/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | 功率MOSFET 20V 3.6A 34mΩ@4.5V,5A 900mW 750mV@250uA 108pF@10V P Channel 1.182nF@10V 12nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23 | 获取价格 | ||
| JSM2302 | JSMICRO SEMICONDUCTOR | 20V 3A 26mΩ@4.5V,6A 1.25W 1.2V@250uA 80pF@15V N Channel 300pF@15V +150℃@(Tj) SOT-23 MOSFETs | 获取价格 | ||
| 1SMA4747A | Luguang Electronics Technology Co., Ltd. | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：20V 稳压值(范围)：19V~21V 精度：±5% 功率：1W 反向电流(Ir)：5uA@15.2V 阻抗(Zzt)：22Ω 20V | 获取价格 | ||
| BSS126IXTSA1 | Infineon Technologies | 表面贴装型 600V 21mA 500mW 500Ω@16mA,10V 1.6V@8uA N Channel 21pF@25V 1.4nC@5V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3-5 | 获取价格 |
